MOSFET功率器件失效分析报告.pdfVIP

报告编号FX03-201901512

合同号FX0419-00425

总页数8

分析报告

样品名称MOS管

型号规格IPP110N20N3G

生产厂家INFINEON

委托单位深圳市核达中远通电源技术有限公司

工业和信息化部电子第五研究所

(中国赛宝实验室)

元器件可靠性研究分析中心

分析报告

样品名称MOS管型号规格IPP110N20N3G

委托名称深圳市核达中远通电源技术有限公司

单位地址深圳市龙岗区宝龙街道宝龙工业区宝龙大道三路4号

生产单位INFINEON

收样日期2019-01-10分析时间2019-01-11～2019-01-16

样品数量编号2只失效样品，本案编号为F1#、F2#，1只良品，编号G1#

分析项目失效分析

分析环境条件温度（22～26）℃，湿度（40～60）%RH

分析依据GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序方法5003微电路的失效分析程序

样品芯片大功率过热烧毁导致失效。

分

析

结

论

工业和信息化部电子第五研究所

元器件可靠性研究分析中心

序号仪器、设备名称编号

仪1体视显微镜7431030002

器2金相显微镜24003010001

设3晶体管图示仪7534990019

备4X光透视系统24004050001

5声学扫描显微镜7436990007

签主检编制审查批准

名

日期

1样品概况

样品为INFINEON生产的MOS管，型号为IPP110N20N3G，TO220-3塑料封装。委托方提

供了2只失效样品，本案编号为F1#、F2#,若干未使用良品，本案分析1只，编号G1#。

委托方提供的失效信息：样品所在局部电路见图1，用于电源模块变压器的次级，起整

流作用。样品所在电源模块随通信系统进行环境应力筛选试验（ESS）时发生故障。检查发

现变压器次级起整流作用的MOS管有1个短路，原边分别起开关和续流作用的2个MOS管都

有烧毁，负载未见烧毁。2只失效样品