CN108987284B 共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法 （武汉大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108987284B公告日2019.06.21

(21)申请号201810588414.9

(22)申请日2018.06.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108987284A

(43)申请公布日2018.12.11

(73)专利权人武汉大学

地址430072湖北省武汉市武昌珞珈山武

汉大学雅各楼

(72)发明人刘胜曹强王鹏洁

(74)专利代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司11228

代理人张涛

(51)Int.CI.

H01L21/425(2006.01)

HO1L21/428(2006.01)

(56)对比文件

CN102017054A,2011.04.13,全文.

CN103367088A,2013.10.23,全文.

EP0665615A1,1995.08.02,全文.

KunZhongJieXuJingSu

YulinChen.UpconversionluminescencefromEr-NcodopedofZn0nanowirespreparedbyionimplantationmethod.《AppliedSurfaceScience》.2011,第257卷(第8期),第3495-3498页.

审查员倪敬涵

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法

(57)摘要

CN108987284B本发明属于氧化锌薄膜制作技术领域，具体提供了共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，通过离子束发生装置得到铒离子束和氮离子束，铒离子束和氮离子束经过质量分析器后进入加速装置，然后经过中性束偏移器，然后经过聚焦装置聚焦成混合离子束，最后经过偏转扫描装置后入射到氧化锌薄膜上，并通过飞秒激光退火装置对氧化锌薄膜进行瞬态退火。通过精确的工艺工序得到了掺杂铒和氮的p型氧化锌材料，并经过后处理得到p型氧化锌薄膜半导体材料，该材料性能可靠稳定，且具有高空穴密度的特点；

CN108987284B

S1

S1

通过离子束发生装置得到铒离子束和

氮离子束，所述铒离子束和氮离子束

经过质量分析器后进入加速装置

S2

加速后的铒离子束和氮离子束经过中

性束偏移器，然后经过聚焦装置聚焦

成混合离子束

所述混合离子束经过偏转扫描装置后

入射到氧化锌薄膜上，并通过飞秒激

光退火装置对所述氧化锌薄膜进行瞬

态退火

S3

CN108987284B权利要求书1/1页

2

1.共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:通过离子束发生装置得到铒离子束和氮离子束，所述铒离子束和氮离子束经过质量分析器后进入加速装置；

S2:加速后的铒离子束和氮离子束经过中性束偏移器，然后经过聚焦装置聚焦成混合离子束；

S3:所述混合离子束经过偏转扫描装置后入射到氧化锌薄膜上，并通过飞秒激光退火装置对所述氧化锌薄膜进行瞬态退火，所述飞秒激光退火装置发出的飞秒脉冲激光聚焦在氧化锌薄膜上进行瞬态退火的温度为450摄氏度～550摄氏度。

2.根据权利要求1所述的共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，其特征在于：所述铒离子束和氮离子束的通道上设有抽真空装置。

3.根据权利要求1所述的共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，其特征在于：所述质量分析器包括铒离子质量分析器和氮离子质量分析器，所述铒离子束经过所述铒离子质量分析器后进入加速装置，所述氮离子束经过所述氮离子质量分析器后进入加速装置。

4.根据权利要求3所述的共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，其特征在于：所述铒离子质量分析器和氮离子质量分析器内均设有场强相互垂直的电场与磁场组成的组合场。

5.根据权利要求1所述的共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，其特征在于：所述加速装置内设有第一高压静电场和第二高压静电场，所述第一高压静电场将铒离子束加速到预设值，所述第二高压静电场将氮离子束加速到预设值。

6.根据权利要求1所述的共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，其特征在于：所述铒离子束与氮离子束的浓度比为1:3。

7.根据权利要求1或6所述的共掺杂铒和氮的p型氧化