CN108649138B 显示面板及其制作方法 （武汉华星光电半导体显示技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108649138B公告日2020.09.04

(21)申请号201810412136.1

(22)申请日2018.04.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108649138A

(43)申请公布日2018.10.12

(73)专利权人武汉华星光电半导体显示技术有

限公司

地址430070湖北省武汉市东湖新技术开

发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室

专利权人华中科技大学

(72)发明人黄静徐湘伦

(51)Int.CI.

HO1L51/52(2006.01)

HO1L51/56(2006.01)

(56)对比文件

CN102437288A,2012.05.02CN107104125A,2017.08.29审查员赵芳

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202代理人郝传鑫熊永强

权利要求书1页说明书7页附图2页

(54)发明名称

显示面板及其制作方法

S101在基板上制备发

S101在基板上制备发光器件，采用化学气相沉

积的工艺在发光器件上形成第一无机层。

S102—采用空间原子层沉积的工艺在第一无机层

上形成第二无机层。

S103一采用喷墨打印或闪蒸的工艺在第二无

机层上形成有机缓冲层。

采用空间原子层沉积的工艺在有机缓冲层上形成第S104—三无机层，第一无机层的边沿和第三无机层的边沿

超出有机缓冲层的边沿。

CN108649138B本发明提供了一种显示面板，所述显示面板包括基板、设于所述基板上的发光器件及依次覆盖所述发光器件的第一无机层及第二无机层，所述第二无机层的密度大于所述第一无机层的密度，以提高所述显示面板的阻隔水氧性能。本发

CN108649138B

CN108649138B权利要求书1/1页

2

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括基板、设于所述基板上的发光器件及依次覆盖所述发光器件的第一无机层、第二无机层、有机缓冲层及第三无机层，所述第二无机层大于所述第一无机层的密度，所述第二无机层和所述第三无机层的厚度皆小于所述第一无机层的厚度，以提高所述显示面板的阻隔水氧性能。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层的边沿超出所述第二无机层的边沿。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层的边沿和所述第三无机层的边沿超出所述有机缓冲层的边沿。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层的边沿超出所述有机缓冲层的边沿。

5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述有机缓冲层的边沿超出所述第二无机层的边沿。

6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层为氧化铝膜，所述第二无机层的厚度为0.05-0.1um。

7.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述基板上的一个或多个挡墙，至少有一个所述挡墙包围所述发光器件，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层覆盖至少一个所述挡墙，且至少有一个所述挡墙包围所述有机缓冲层。

8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层贴合于所述基板，以使所述发光器件密封于所述第一无机层与所述基板之间。

9.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制备发光器件，采用化学气相沉积的工艺在所述发光器件上形成第一无机层；

采用空间原子层沉积的工艺在所述第一无机层上形成第二无机层，以使所述第二无机层的密度大于所述第一无机层的密度，所述第二无机层的厚度小于所述第一无机层的厚度，以提高所述显示面板的阻隔水氧性能和弯折性能；

采用喷墨打印或闪蒸的工艺在所述第二无机层上形成有机缓冲层；

采用空间原子层沉积的工艺在所述有机缓冲层上形成第三无机层，以使所述第三无机层的厚度小于所述第一无机层的厚度。

10.如权利要求9所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述第一无机层的边沿和所述第三无机层的边沿超出所述有机缓冲层的边沿，以封装所述有机缓冲层。

CN108649138B说明书