CN110120437A 一种高填充因子的红外探测器结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110120437A

(43)申请公布日2019.08.13

(21)申请号201910359028.7

(22)申请日2019.04.30

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人康晓旭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华张磊

(51)Int.CI.

H01L31/101(2006.01)

H01L31/02(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种高填充因子的红外探测器结构及其制

作方法

(57)摘要

CN110120437A本发明公开了一种高填充因子的红外探测器结构，包括设于衬底之上的微桥结构，微桥结构包括微桥桥面及支撑和电连接孔，微桥桥面自下而上依次设有第一释放保护层、红外敏感层、第一金属电极层和第二释放保护层，支撑和电连接孔的内壁表面上依次设有第二金属电极层、第三释放保护层，第二金属电极层自支撑和电连接孔的内壁顶部开口引出，并与第一金属电极层相连，第二金属电极层通过支撑和电连接孔的底部开口与衬底实现电性连接，第三释放保护层自支撑和电连接孔的内壁上端开口部引出，并与第二释放保护层相连。本发明能够在提高填充因子的

CN110120437A

CN110120437A权利要求书1/1页

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1.一种高填充因子的红外探测器结构，其特征在于，包括：设于衬底之上的微桥结构，所述微桥结构包括微桥桥面及支撑和电连接孔，所述微桥桥面自下而上依次设有第一释放保护层、红外敏感层、第一金属电极层和第二释放保护层，所述支撑和电连接孔的内壁表面上依次设有第二金属电极层、第三释放保护层；其中，所述第二金属电极层自所述支撑和电连接孔的内壁顶部开口引出，并与所述第一金属电极层相连，所述第二金属电极层通过所述支撑和电连接孔的底部开口与所述衬底实现电性连接，所述第三释放保护层自所述支撑和电连接孔的内壁上端开口部引出，并与所述第二释放保护层相连。

2.根据权利要求1所述的高填充因子的红外探测器结构，其特征在于，所述支撑和电连接孔内的第三释放保护层表面上还设有支撑及功能层，所述支撑及功能层自所述支撑和电连接孔的内壁顶部开口引出，并至少部分覆盖于所述第二释放保护层上。

3.根据权利要求1所述的高填充因子的红外探测器结构，其特征在于，所述第一金属电极层和第二金属电极层采用相同材料形成，所述第一释放保护层至第三释放保护层采用相同材料形成。

4.根据权利要求1所述的高填充因子的红外探测器结构，其特征在于，所述第二金属电极层通过设于所述衬底上的后道金属层与所述衬底实现电性连接。

5.一种高填充因子的红外探测器结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上沉积牺牲层；

在所述牺牲层上沉积释放保护层和红外敏感层；

自上而下刻蚀所述牺牲层，形成连通所述衬底的支撑和电连接孔；

在所述支撑和电连接孔的内壁表面以及所述红外敏感层的表面上沉积金属电极层，并图形化；

在所述金属电极层以及所述红外敏感层的表面上再次沉积释放保护层，并图形化；

通过释放工艺去除所述牺牲层，在所述衬底上形成微桥结构。

6.根据权利要求5所述的高填充因子的红外探测器结构的制作方法，其特征在于，在去除所述牺牲层之前，还包括以下步骤：

在所述支撑和电连接孔内外再次沉积的释放保护层表面上沉积支撑及功能层，并图形化。

7.根据权利要求5所述的高填充因子的红外探测器结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上沉积牺牲层之前，还包括以下步骤：

在所述衬底上形成后道金属层；

其中，所述金属电极层自所述支撑和电连接孔的底部开口与所述后道金属层连接。

8.根据权利要求5所述的高填充因子的红外探测器结构的制作方法，其特征在于，采用MOCVD工艺，在所述支撑和电连接孔内沉积所述金属电极层。

9.根据权利要求5所述的高填充因子的红外探测器结构的制作方法，其特征在于，所述金属电极层材料为TiN或Pt。

10.根据权利要求6所述的高填充因子的红外探测器结构的制作方法，其特征在于，所述支撑及功能层材料为SiN、SiON或SiC。

CN110120437A说明书