CN110411508A 一种监测锂离子电池的多功能光纤传感器、系统及其制作方法 （杭州电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110411508A

(43)申请公布日2019.11.05

(21)申请号201910629344.1

(22)申请日2019.07.12

(71)申请人杭州电子科技大学

地址310018浙江省杭州市下沙高教园区

(72)发明人袁友伟马云鹏鄢腊梅贺慧敏李万清胡海洋

(74)专利代理机构浙江永鼎律师事务所33233代理人陆永强

(51)Int.CI.

G01D21/02(2006.01)

H01M10/42(2006.01)

G02B6/028(2006.01)

权利要求书3页说明书8页附图6页

(54)发明名称

一种监测锂离子电池的多功能光纤传感器、系统及其制作方法

(57)摘要

CN110411508A本发明公开了一种监测锂离子电池的多功能光纤传感器、系统及其制作方法，其中监测锂离子电池的多功能光纤传感器包括荷电状态传感器和温度传感器，二者串联，并均以多模光纤为基底，其中，多模光纤由内至外为二氧化硅芯、掺氟包层和丙烯酸酯涂层；荷电状态传感器为将多模光纤在氢氟酸中湿法蚀刻，使掺氟包层变薄，形成光纤倏逝波传感器，即为荷电状态传感器；温度传感器串联在荷电状态传感器后端，将多模光纤的掺氟包层蚀刻变薄，外层涂覆以PMMA为基质的荧光层。本发明能同时测量锂离子电池

CN110411508A

信号采集器3

信号采集器30

CN110411508A权利要求书1/3页

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1.一种监测锂离子电池的多功能光纤传感器，其特征在于，包括荷电状态传感器和温度传感器，二者串联，并均以多模光纤为基底，其中，

所述多模光纤由内至外为二氧化硅芯、掺氟包层和丙烯酸酯涂层；

所述荷电状态传感器为将多模光纤在氢氟酸中湿法蚀刻，使掺氟包层变薄，形成光纤倏逝波传感器，即为荷电状态传感器；

所述温度传感器串联在荷电状态传感器后端，将多模光纤的掺氟包层蚀刻变薄，外层涂覆以PMMA为基质的荧光层。

2.如权利要求1所述的多功能光纤传感器，其特征在于，所述多模光纤的二氧化硅芯的直径为95μm,掺氟包层的厚度为115μm,丙烯酸酯涂层的厚度为110μm。

3.如权利要求1所述的多功能光纤传感器，其特征在于，所述荷电状态传感器在825nm波长的LED照射下，光学透射率与锂离子电池电压曲线变化趋势相同。

4.如权利要求1所述的多功能光纤传感器，其特征在于，所述温度传感器在450nm波长的LED照射下，激发荧光层将波长转换为600nm,转换效率与温度对应。

5.一种包括权利要求1-4之一所述多功能光纤传感器的系统，其特征在于，还包括第一光源、第二光源、Y型光纤耦合器和信号采集器，其中，

所述第一光源为450nm波长的LED,第二光源为825nm波长的LED,所述Y型光纤耦合器将第一光源和第二光源耦合到多模光纤中；所述多模光纤的末端与信号采集器连接，信号采集器将荷电状态传感器和温度传感器采集的数据处理、分析和转化。

6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述信号采集器包括单片机、第一线性稳压器、第二线性稳压器、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管、硅基光电探测器、运算放大器和模数转换器，其中，

所述单片机包括ArduinoNano,分别与第一线性稳压器、第二线性稳压器、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管和模数转换器连接，第一光源与第一线性稳压器连接，第二光源与第二线性稳压器连接，隔离电源噪声并提供稳定恒流驱动；第一NPN晶体管和第二NPN晶体管为由单片机控制的高侧开关，单片机使用数字输入和输出引脚单独寻址第一光源和第二光源；硅基光电探测器与第一光源和第二光源分别连接，以光伏模式配置，再通过运算放大器放大电压输出，经可编程增益的模数转换器读取放大的读数，在荧光输出和NIR读数之间切换，模数转换器输出的数字比特流通过I2C总线馈送到单片机。

7.一种权利要求1-4所述的多功能光纤传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10,多模光纤蚀刻；

S20,450nm波长的LED照射蚀刻后的多模光纤，是否存在裂缝，存在则丢弃；

S30,制备荧光层溶液；

S40,进行热特性实验以确定荧光层溶液组成；

S50,将蚀刻后的多模光纤浸涂于荧光层溶液中；

其中，S30包括以下步骤：

S31,将PMMA加