模拟电子技术第2章.pptVIP

发射结电容;压控电压源;晶体管混合π型等效模型;通常re、rc很小，rce、rbc很大，均可以忽略。;简化的混合π型等效模型;低频混合π型等效电路;晶体管混合π型低频等效电路与微变等效电路的关系;rbe=rbb+rbe;gm的物理意义：;晶体管混合π型电路的密勒等效电路;图中;2．晶体管的高频特性和高频参数;由图可知;·;˙;由;画的幅频特性;当;˙;的图形是由直线;0;0;当;0;fβ称为晶体管的共射极截止频率;fT是衡量晶体管高频特性的最常用指标;（3）晶体管电流放大倍数?=?(f);得晶体管共基极截止频率;晶体管共基极截止频率;2.8.4单管共射极放大电路的频率响应;不同电容对电路性能的影响;不同频率区域电容的作用;c.高频区;1．中频区的频率响应;忽略RB;电压放大倍数;2．低频区的频率响应和下限截止频率;忽略RB;忽略RE(因RE1/?LCE);将CE等效到输入回路;将电流源转换为电压源;将输入回路电容合并;在输出回路;在输入回路;得低频区放大电路电压放大倍数;上式中，令;令;式;当C2＞＞C1，即C2的影响可以忽略时;知当时;当C2C1，即C1的影响可以忽略时;知当时;故旁路电容是影响电路低频性能的主要因素。;3．高频区的频率响应和上限截止频率;高频等效电路;对输入回路简化、等效;;对输出回路简化、等效;将电流源转换为电压源;由图可知;高频区电压放大倍数;;令;或;当Ci＞＞Co;知当时;当Co＞＞Ci时;知当时;名词：;当低频区只考虑一个电容C1或C2;讨论：;b.当;c.当;3dB;2.8.5放大电路的增益带宽积;可见，降低电路Au时，将使CM减小，fH1提高。;由上述讨论可知：;设放大电路的低高频区的等效电路均有多个惯性环节;电路上限截止频率fH;特别地，当（）时;思考题;例在图示放大电路中，已知VCC=15V,RB1=90kΩ,RB2=60kΩ,RC=RL=2kΩ,RE1=0.2kΩ,RE2=1.8kΩ,C1=C2=10?F,CE=50?F,Co=1600pF。三极管的rbb=300Ω,β=100,UBE=0.7V,结电容可以忽略。试求：

(1)静态工作点ICQ,UCEQ：

(2)Aum、Ri、Ro；

(3)估计上、下限截止频率fH和fL；

(4)Uopp及输入电压最大值Uim;

(5)当输入电压ui的最大值大于Uim时，输出将首先出现什么失真？;解：;UCEQ=VCC－ICQRC－IEQ(RE1+RE2)

≈VCC－IEQ（RC+RE1+RE2）

=15－3.15×(2＋2)

=2.4V;·;(3)a.估算法下限截止频率;(b)C2决定的下限截止频率;故;b.估算法上限截止频率;(4);(5);;谢谢大家！