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- 2026-02-16 发布于重庆
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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[21]申请号X
[51]Int.CI?
H01L21/50
H01L21/98H01L23/00
[43]公开日2003年10月1日[11]公开号CN1445829A
[22]申请日2002.3.20[21]申请X
[71]申请人裕沛科技股份有限公司地址台湾省新竹县
[72]发明人杨文焜
[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司
代理人黄志华
权利要求书3页说明书8页附图8页
[54]发明名称一种晶圆型态封装及其制作方法
[57]摘要
一晶圆背面先利用一研磨装置研磨;一玻璃贴附于晶圆背面,适合之材质包含,但不限定为环氧树脂(epoxy),玻璃可以利用习知技术之贴附技术加以附着,然后,利用一具有特定图案之光阻作为蚀刻罩幕,蚀刻上述之晶圆用以分离IC;一绝缘材质涂布于晶圆之第二面;一研磨制程可以选择性地使用,以研磨在具有电路那一侧之晶圆表面上之环氧树脂;复数个开孔形成于黏着物质之中以及对应于晶粒上之垫(pad),接着,电路重新分布设置于环氧树脂之表面上,部分电路接触垫以建立电性连接;一锡膏罩幕作为一绝缘,锡膏罩幕暴露电路特定区域,这电路被暴露之区域为预定来置放导体球之区域;一印刷制程用来涂布锡膏于上述特定区域之上;然后利用热流过程将锡膏变成锡球。
知识产权出版社出版X权利要求书第1/3页
2
1.一种晶圆型态封装的制作方法,该制程包含:
提供一具有复数个晶粒形成于其上之晶圆;
研磨该晶圆之背面;
5使用黏着物质贴附一材质于该晶圆之该背面;
蚀刻该晶圆上之切割道用以分离该复数个晶粒;
涂布绝缘材质于该被蚀刻之晶圆上;
执行一金属垫开孔步骤以暴露该复数晶粒上之该复数金属垫;
形成金属垫保护层于该金属垫之上,上述保护层之材质可选用锌(Zn)/
10镍(Ni)或铬(Cr)等;
执行电路重新分布步骤,将电路布局于该绝缘材质之上;
形成一锡膏罩幕于该第二黏着物质之上用以暴露一在该电路上之预定
区域;
执行一锡膏印刷步骤以形成锡膏于该预定区域之上;以及
15热流该锡膏。
2.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:该贴
附之材质包含玻璃。
3.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:该贴附之材质包含陶瓷。
204.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:该贴附之材质包含石英。
5.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:该黏着材质包含环氧树脂(epoxy)。
6.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:该绝25缘材质包含环氧树脂(epoxy)或BCB。
7.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:在研X权利要求书第2/3页
3
磨该晶圆之背面之前,更包含贴一胶带于该晶圆之上。
8.根据权利要求7所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:在贴附该材质于该晶圆之背面后,更包含去除该胶带。
9.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:在涂
5布该绝缘材质之后更包含固化该绝缘材质。
10.根据权利要求9所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:上述之固化为使用紫外线照射。
11.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:在执行该垫开孔步骤之前,更包含研磨该绝缘材质。
1012.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:上
述之垫开孔为利用雷射形成。
13.根据权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:在执行该热流步骤之后,更包含测试该晶圆。
14.根据权利要求13所述的晶圆型态封装的制作方法,其特征在于:
15在执行该测试之后,更包含言该切割道切割该晶圆。
15.一种晶圆型态封装,包含:
一具有复
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