CN1544968A 和波导型光探测器管芯兼容的准共面波导及其制作方法 （武汉电信器件有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200310111465.6

[51]Int.Cl?

G02B6/26

G02B6/13H04B10/12

[43]公开日2004年11月10日[11]公开号CN1544968A

[22]申请日2003.11.27

[21]申请号200310111465.6

[71]申请人武汉电信器件有限公司

地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

[72]发明人丁国庆刘兴瑶

[74]专利代理机构武汉宇晨专利事务所代理人黄瑞棠

权利要求书2页说明书6页附图2页

[54]发明名称和波导型光探测器管芯兼容的准共

面波导及其制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种和波导型光探测器管芯兼容的准共面波导及其制作方法；涉及一种共面波导(CPW),尤其涉及一种在半绝缘半导体基片上、和光通信用超高速率侧面进光的波导型光探测器管芯兼容的准CPW。该准CPW是一种近于平面的微波传输线，其结构为在掺铁的半绝缘半导体基片上，通过介质镀膜、光刻、电子束蒸发和金属剥离等技术，形成近于平面的三叉状微波传输线；其中心为信号线，两旁为地线；中心的信号线比两旁的地线低；而且，在设计和工艺制作时，采用双联体的准CPW结构。该准CPW具有结构简单、制作容易、解理方便、和侧面进光的波导型光探测器管芯兼容，便于组装和光纤耦合、成品率高等特点。

知识产权出版社出版

200310111465.6权利要求书第1/2页

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1、一种准共面波导，即一种在半绝缘半导体基片上、和光通信用超高速率侧面进光的波导型光探测器管芯兼容的准共面波导；其特征在于：

为一种在半绝缘半导体基片(InP)上的、近于平面的三叉状微波传输线；

其中心为信号线(a),两旁为地线(b);具体地，,①基片(InP)为掺铁的半绝缘半导体材料；

②由2条等平面的地线(b)和1条位于中心的、比2条地线(b)略低的传

输速率为28Gb/s--40Gb/s的信号线(a)构成；

③信号线(a)、地线(b)的头部呈劈尖状，后续部分为两边平行的条状；

④为双联体结构。

2、根据权利要求1所述的一种准共面波导，其特征在于：基片(InP)的电阻率在10Ω/cm至10Q/cm,表面不平度小于0.1微米，总厚度为125-145微米。

3、根据权利要求1所述的一种准共面波导，其特征在于：信号线(a),其头部呈劈尖状，最小宽度为16-18微米，最大宽度为50-60微米；后续部分为边缘平行的条状，宽度为50--60微米；表面离地线(b)表面为1.6—2.8微米，总长度为300-360微米。

4、根据权利要求1所述的一种准共面波导，其特征在于：两旁地线(b),其宽度为30微米至75微米，其内侧边缘离中心的信号线(a)的外侧边缘最小距离为25-30微米，最大距离为45-60微米。

5、制作权利要求1所述的一种准共面波导的工艺流程，其特征在于：

基片研磨及抛光(1)、化学清洗(2)、等离子加强的化学气相淀积SiO?(3)、

信号线光刻(4)、化学腐蚀除去SiO?(5)、深度测试(6)、化学腐蚀InP(7)、

反应离子刻蚀InP(8)、等离子加强的化学气相淀积SiO?(3)、电子束蒸发(9)、金属剥离(10)、地线光刻(11)、等离子或化学去胶(12)、电镀或化学镀金属(13)、金属剥离(14)、电子束蒸发(16)、背面减薄及抛光(17)、化学清洗及干燥(17)、晶片解理(18)、准共面波导初测(19)。

6、根据权利要求5所述的工艺流程，其特征在于：

200310111465.6权利要求书第2/2页

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在背面减薄及抛光(16)中，最后总厚度减薄至125-145微米。

7、根据权利要求5所述的工艺流程，其特征在于：

在品片解理(18)工艺之前，准共面波导为双联体结构；最后通过晶片解理(18)工艺，把双联体的准共面波导分解成两个单独的准共面波导。

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