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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[21]申请号200410054933.5
[51]Int.Cl.
G01M3/02(2006.01)GO1M13/002006.01)
HO1L41/092006.01)
[43]公开日2006年1月25日[11]公开号CN1724987A
[22]申请日2004.7.21
[21]申请号200410054933.5
[71]申请人华新丽华股份有限公司地址台湾省台北市
[72]发明人吴名清杨学安林弘毅方维伦
[74]专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人臧建明张浴月
权利要求书3页说明书8页附图3页
[54]发明名称
机电元件,微机电及共振元件制作和气密度测试方法
[57]摘要
本发明提供了一种机电元件,微机电及共振元件制作和气密度测试方法。其中,提供了一种整合一封装步骤与一测试元件的设置步骤于制作工艺中的微机电元件的制作方法,其步骤包含:a)制作一保护盖,包含一空腔;b)提供一基座;c)于该基座上设置多个微机构,其中该多个微结构包含该测试元件;d)架设一导线装置于该基座,以控制该多个微结构的动作;以及e)于真空环境下进行封装,指于真空环境下接合该保护盖与该基座以组成该微机电元件,其中该空腔用以容纳该测试元件。
200410054933.5权利要求书第1/3页
2
1.一种制作微机电元件的方法,其步骤包含:
a)提供一第一基板;
b)形成一空腔于该第一基板;
5c)提供一第二基板;
d)在该第二基板上形成一接合区与一动作区;
e)形成多个微结构于该动作区;
f)架设一传导装置于该动作区与该接合区;
g)在该传导装置上形成一绝缘层;以及
10h)连接该第一基板与该接合区以形成一微机电元件,其中该空腔用以容纳该多个微结构。
2.如权利要求1所述的方法,其中:
该步骤a)中的该第一基板为一玻璃基板或一石英基板;
该步骤b)是通过一蚀刻处理而实施;及/或
15该步骤d)是通过一蚀刻处理而实施。
3.如权利要求1所述的方法,其中:
该步骤b)中的该多个微结构包含一微测试结构;
该方法还包含步骤:
i)利用一测试装置检测该微测试结构的表现以判定该微机电元件的性
20能;其中,该测试装置为一都卜勒测振仪,该微测试结构为一气密程度微测
试结构、一微扭转镜面、一悬臂梁其中之一。
4.如权利要求1所述的方法,其中:
该步骤f)中的该传导装置为一金属导线或一多晶硅层;及/或
该步骤c)中的该第二基板为一硅芯片。
255.如权利要求1所述的方法,其中:
该步骤h)包含步骤:
h1)形成一金属接合层于该绝缘层上;以及
h2)加热,以使该金属接合层融化而接合该第一基板与该接合区;
其中,该步骤h1)与步骤h2)中的该金属接合层为一金/铟层;
30该步骤h2)为一微加工局部加热步骤或为一激光局部加热步骤。
200410054933.5权利要求书第2/3页
3
6.一种制作微机电元件的方法,其步骤包含:
a)形成一保护盖构造;
b)形成多个微结构于一基板,其中包含一微测试结构;
c)架设一传导装置于该基板,以控制该多个微结构的动作;
5d)形成一绝缘层于该传导结构之上;以及
e)接合该保护盖构造与该基板以组成该微机电元件,其中该保护盖构造遮盖该多个微结构。
7.如权利要求6所述的方法,其中:
该步骤a)中的该保护盖构造包含一空腔以容纳该多个微结构;及/或
10该步骤b)中的该微测试结构以一复合式面型与体型的微加工技术所制成。
8.一种整合一封装步骤与一测试元件的设置步骤的共振元件制作方法,
其步骤包含:
a)制作一保护盖,包含一空腔;
15b)提供一基座;
c)于该基座上设置多个微机构,
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