CN1588655A 混合集成的高亮度半导体白光源及其制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410060707.8

[51]Int.Cl?

H01L33/00

H01L27/15H01S5/00

[43]公开日2005年3月2日[11]公开号CN1588655A

[22]申请日2004.8.11

[21]申请号200410060707.8

[71]申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号南五楼311室

[72]发明人刘德明黄黎蓉刘陈

[74]专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人王守仁

权利要求书1页说明书3页附图1页

[54]发明名称混合集成的高亮度半导体白光源及其制作方法

[57]摘要

本发明是一种混合集成的高亮度半导体白光源，其由至少两个发不同颜色的、侧面出光的、相互粘结在一起的发光单元构成，它们在电学上互成串联关系，不同颜色的光从各个发光单元出射之后混合成为白光；每一个发光单元为多层结构，包括第一电极层(16)、缓冲层和第一包层(10)、下限制波导层(11)、有源区(12)、上限制波导层(13)、第二包层(14)、第二电极层(15),在其左右解理腔面上分别镀有反射膜(17)、(18),它们形成光子的谐振腔。其制作方法是在发光单元的解理腔面上镀制反射膜，形成光子谐振腔之后，将至少两个发不同颜色的、侧面出光的发光单元用导电胶相互粘结，使它们在电学上互为串联关系。

知识产权出版社出版

200410060707.8权利要求书第1/1页

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1.一种混合集成的高亮度半导体白光源，其特征在于：由至少两个发不同颜色的、侧面出光的、相互粘结在一起的发光单元构成，它们在电学上互成串联关系，不同颜色的光从各个发光单元出射之后混合成为白光；每一个发光单元为多层结构，自下往上依次是第一电极层(16)、缓冲层和第一包层(10)、下限制波导层(11)、有源区(12)、上限制波导层(13)、第二包层(14)、第二电极层(15),在其左右解理腔面上分别镀有反射膜 (17)、(18),它们形成光子的谐振腔。

2.根据权利要求1所述的混合集成的高亮度半导体白光源，其特征在于发光单元为多层结构，在第一电极层(16)和缓冲层和第一包层(10)之间，可以进一步包含衬底层(9)。

3.根据权利要求1所述的混合集成的高亮度半导体白光源，其特征在于发光单元有两个，即：有蓝光发光单元和黄光发光单元，或者其它两种不同发光单元，它们通过散热性好的导电胶相互粘结在一起，并且发出的光混合成为白光。

4.根据权利要求1所述的混合集成的高亮度半导体白光源，其特征在于发光单元有红色发光单元(1)、绿色发光单元(2)、蓝色发光单元(3),或者其它三种或更多种的发光颜色不同的发光单元，它们发出的光混合成为白光，并且它们通过散热性好的导电胶相互粘结在一起。

5.一种混合集成的高亮度半导体白光源的制作方法，其特征是包括如下步骤：

a.先在衬底(9)上依次外延生长缓冲层和第一包层(10)、下限制波导层(11)、有源区(12)、上限制波导层(13)、第二包层(14),然后制作第二电极层(15),

b.将衬底(9)去掉之后，制作第一电极层(16),

c.将外延片进行解理，在其两个解理腔面上分别镀制反射膜(17)、(18)之后，切割制作出一个发光单元，

d.依上方法，分别制作出至少两个发不同颜色光的发光单元，它们发出的光混合成为白光，

e.用散热性好的导电胶将发不同颜色光的发光单元相互粘结，形成电学上的互为串联关系。

6.根据权利要求5所述的混合集成的高亮度半导体白光源的制作方法，其特征在于在步骤b中，可以在保留衬底(9)的基础上，制作第一电极层(16)。

7.根据权利要求5所述的混合集成的高亮度半导体白光源的制作方法，其特征在于反射膜是具有高反射率的增反膜，或者是反射率较低的反射膜。

8.根据权利要求5所述的混合集成的高亮度半导体白光源的制作方法，其特征在于从一个解理腔面出射光，或者从两个解理腔面出射光。

200410060707.8说明书第1/3页

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混合集成的高亮度半导体白光源及其制作方法

技术领域

本发明涉及照明领域，特别是一种混合集成的高亮度半导体白光源及其制作方法。