CN1601775A 制作一半导体发光元件的方法 （国联光电科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410085834.3

[51]Int.Cl?

H01L33/00

H01S5/00

[43]公开日2005年3月30日[11]公开号CN1601775A

[22]申请日2004.10.20

[21]申请号200410085834.3

[71]申请人国联光电科技股份有限公司

地址台湾省新竹市新竹科学园区力行路十号九楼

[72]发明人蔡宗良张智松陈泽澎

[74]专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人曾旻辉胡杰

权利要求书1页说明书5页附图7页

[54]发明名称制作一半导体发光元件的方法

[57]摘要

本发明提供一种制作一半导体发光元件的方法。该方法包含于一基板表面形成至少一半导体叠层结构，此半导体叠层结构包含有一第一导电型式半导体层、一发光层以及一第二导电型式半导体层依序设于基板表面；然后于半导体叠层结构表面形成一含铟元素的电极接触层，并且进行一微波处理，以活化半导体叠层结构，最后再于电极接触层表面形成一透明导电层。

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知识产权出版社出版

200410085834.3权利要求书第1/1页

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1、一种制作一半导体发光元件的方法，该方法包含有下列步骤：

(1)提供一基板；

(2)于所述的基板表面形成至少一半导体叠层结构，且该半导体叠层结构包含有一第一导电型式半导体层、一发光层以及一第二导电型式半导体层依序设于该基板表面；

(3)于所述的半导体叠层结构表面形成一含铟元素的电极接触层；

(4)进行一微波处理，以活化所述的半导体叠层结构；以及

(5)于所述的电极接触层表面形成一透明导电层。

2、根据权利要求1所述制作一半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的第一导电型式为N型，所述的第二导电型式为P型。

3、根据权利要求1所述制作一半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的微波处理是用来活化所述的半导体叠层结构中的P型半导体层。

4、根据权利要求1所述制作一半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的电极接触层由P型半导体材料形成，并利用所述的微波处理予以活化。

5、根据权利要求1所述制作一半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的透明导电层选自金属、金属氮化物以及金属氮化物所组成的群组。

6、根据权利要求1所述制作一半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的微波处理的操作温度小于400°C。

7、根据权利要求1所述制作一半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的电极接触层的厚度不大于500埃。

8、根据权利要求1所述制作一半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的半导体发光元件包含发光二极管、雷射二极管、光检测器或太阳能电池。

9、根据权利要求1所述制作一半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的步骤(4)和(5)的次序可以互换。

200410085834.3说明书第1/5页

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制作一半导体发光元件的方法

技术领域

本发明涉及一种制作一半导体发光元件的方法，尤指一种制作一半导体发光元件的

欧姆电极(ohmicelectrode)的方法。

背景技术

III-V族半导体材料，包含氮化镓系列(GaNseries)、砷化镓(GaAsseries)系列等化合物半导体材料的应用已成为发光组件制作的研究重点。在这些发光组件中，通常包含有一N型导电型式的Ⅲ-V族化合物半导体层以及一P型导电型式的Ⅲ-V族化合物半导体层堆栈于一基板上。此外，在P型半导体层上方另设有一P型接触电极，以与设于N型半导体层上或导电材料基板背面的N型接触电极配合，用来提供电流使组件发光。

一般而言，P型接触电极必须覆盖于P型半导体层的整个表面，以提供均匀电流至P型半导体层，使发光组件可以产生均匀的光线。然而，用来制作接触电极的金属材料透光率并不高，若完全覆盖住发光组件的表层，必定会对发光组件的发光效率产生不良影响。为了同时兼顾发光均匀性以及发光效率，目前的改善方法是在P型半导体层上覆盖一透明导电层，然后将P型接触电极设于透明导电层上，以形成欧姆电极。

由于P型半导体层表面具有许多缺陷，使其与透明导电层间的接触电阻增加，并不易形成良好的欧姆电极。现有技术利用有