CN1719621A 一种硅太阳电池的结构与制作方法 （南京中电光伏科技有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510039002.2

[51]Int.Cl.

HO1L31/04(2006.01)

HO1L31/06(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

[43]公开日2006年1月11日[11]公开号CN1719621A

[22]申请日2005.4.21

[21]申请号200510039002.2

[71]申请人南京中电光伏科技有限公司

地址211100江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路

[72]发明人赵建华王爱华张凤鸣

[74]专利代理机构南京天翼专利代理有限责任公司代理人汤志武

权利要求书1页说明书7页附图2页

[54]发明名称

一种硅太阳电池的结构与制作方法

[57]摘要

一种N型硅太阳电池的结构：在N型硅片上，背面设有P型发射结，正面和制备P型发射结的背面均设有丝网印刷的金属电极。N型硅太阳电池的制作方法是将N型硅片进行前道化学预处理、绒面腐蚀；背面以硼扩散制备背面P型发射结；生长氧化层；正面PECVD淀积氧化层；丝网印刷正面、背面金属电极；烧结金属即电极金属化；硼扩散时采用三溴化硼液态源硼扩散，恒温区控制在800-1000℃,扩散时间约为10-50分钟，扩散时硅片在石英舟上背对背放置，同时阻挡硅片正面被硼扩散，硼扩散的结深要在0.5-5微米。本发明实现一个低成本、高效率的太阳电池制造技术，使产品有竞争力。

200510039002.2权利要求书第1/1页

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1、一种N型硅太阳电池的结构：其特征是在N型硅片上，背面设有P型发射结，正面和制备P型发射结的背面均设有丝网印刷的金属电极。

2、一种N型硅太阳电池的制作方法：其特征是将N型硅片进行前道化学预处理、绒面腐蚀；背面以硼扩散制备背面P型发射结；生长氧化层；正面PECVD淀积氧化层；丝网印刷正面、背面金属电极；烧结金属即电极金属化；

硼扩散时采用三溴化硼液态源硼扩散，恒温区控制在800-1000℃,扩散时间约为10-50分钟，扩散时硅片在石英舟上背对背放置，同时阻挡硅片正面被硼扩散，硼扩散的结深要在0.5-5微米，硼扩散的方块电阻控制在10-50Ω/方块；热生长二氧化硅层的方法是：用稀氢氟酸去除扩散时产生的氧化层、并用去离子水漂洗、烘干之后，硅片进行纯干氧氧化，恒温区控制在900-1050℃,氧化时间约为10-50分钟。

3、由权利要求2所述的N型硅太阳电池的制作方法：其特征是对高阻N型硅片，在背面硼扩散以后，进行正面磷扩散，采用三氯氧磷液态源磷扩散，恒温区控制在800-1000℃,扩散时间约为10-50分钟，采用背对背扩散，磷扩散的方块电阻要控制在10-50Ω/方块。

4、由权利要求2所述的N型硅太阳电池的制作方法：其特征是等离子体辅助化学气相淀积氮化硅层的工艺是，PECVD淀积的氮化硅层含有大量的氢离子，这些氢离子可以钝化电池的正表面，从而减小正表面处的载流子的复合，通过调整淀积的条件，使氮化硅层的折射率达到2.0左右，当控制膜厚在四分之一波长时 (包括热生长的二氧化硅层),也就是总膜厚在700-800A,便达到最佳减反射膜的目的，这时的氮化硅膜呈现深蓝色。

5、由权利要求2所述的N型硅太阳电池的制作方法：其特征是边缘等离子刻蚀工艺是，用四氟化碳和氧气作为工作气体，在反应室中的等离子体的反应下对迭在一起的硅片垛进行腐蚀1-5分钟，以去除硅片周边的正背面短路的PN结。

6、由权利要求2所述的N型硅太阳电池的制作方法：其特征是丝网印刷工艺是，正面用银浆印刷梳状0.1mm宽的银线条，背面用铝浆印刷全面积的铝接触金属，铝层中间留出两条3mm宽的窗口，在背面铝层的窗口之下，用银浆印刷4mm宽的焊接用银条。铝浆与银浆有0.5mm的重叠，以保证铝-银区域之间的电接触。

7、由权利要求2所述的N型硅太阳电池的制作方法：其特征是烧结金属的工艺是，以400cm/min左右的带速、10-100度/分的快速升温、10-100度/分的快速降温的方式，以750-900℃在带式烧结炉中一次烧结，同时完成正、背金属的接触。

8、由权利要求2所述的N型硅太阳电池的制作方法：其特征是正面钝化P型扩散后再进行丝网印刷正面金属电极。

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