CN1645608A 低k和超低k SiCOH介质膜及其制作方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510004304.6

[51]Int.Cl?

H01L23/532

H01L21/312H01L21/31C23C16/00

[43]公开日2005年7月27日[11]公开号CN1645608A

[22]申请日2005.1.14

[21]申请号200510004304.6

[30]优先权

[32]2004.1.16[33]US[31]10/758,724

[71]申请人国际商业机器公司地址美国纽约

[72]发明人斯蒂芬·M.·盖茨

克里斯托斯·D.·迪米特拉克浦斯阿尔弗雷德·格里尔

桑·范·恩古叶恩

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人王永刚

权利要求书5页说明书24页附图6页

[54]发明名称低k和超低kSiCOH介质膜及其制作方法

[57]摘要

本申请公开了一种低k和超低kSiCOH介质膜及其制作方法，其中提供了包括元素Si、C、0、H的介质材料，它具有机械性质(张应力、弹性模量、硬度、粘合强度、以及水中的破裂速度)的具体数值，这些机械性质导致稳定的超低k膜，此膜不由于水蒸气或集成工艺而退化。这些介质材料的介电常数约为2.8或以下，张应力小于45MPa,弹性模量约为2-15GPa,且硬度约为0.2-2GPa。还提供了包含本发明的介质材料的一些电子结构以及制造介质材料的各种方法。

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知识产权出版社出版

200510004304.6权利要求书第1/5页

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1.一种包含元素Si、C、O、H的介质材料，其介电常数约为2.8或以下，张应力小于45MPa,弹性模量约为2-15GPa,且硬度约为0.2-2GPa。

2.权利要求1的介质材料，其中，所述材料的粘合强度约为1.7-4.5J/m2。

3.权利要求1的介质材料，其中，对于约为1.1-2.8微米的膜厚度，所述材料的水中裂纹发展速度不大于1×10-1?m/sec。

4.权利要求1的介质材料，其中，介电常数为2.7,张应力小于45MPa,弹性模量约为9-15GPa,且硬度约为0.5-2GPa。

5.权利要求4的介质材料，其中，所述材料的粘合强度约为4.0-4.5J/m2。

6.权利要求4的介质材料，其中，对于2.8微米的膜厚度，所述材料的水中裂纹发展速度不大于1×10?1?m/sec.

7.权利要求1的介质材料，其中，介电常数为2.6,张应力小于

45MPa,弹性模量约为8-13GPa,且硬度约为0.4-1.9GPa。

8.权利要求7的介质材料，其中，材料的粘合强度约为4.0-4.5J/m2。

9.权利要求7的介质材料，其中，对于2.7微米的膜厚度，所述材料的水中裂纹发展速度不大于1×10?1?m/sec。

10.权利要求1的介质材料，其中，介电常数为2.5,张应力小于45MPa,弹性模量约为7-12GPa,且硬度约为0.35-1.8GPa。

11.权利要求10的介质材料，其中，材料的粘合强度约为2.5-3.9J/m2。

12.权利要求10的介质材料，其中，对于2.5微米的膜厚度，材料的水中裂纹发展速度不大于1×10?1?m/sec。

13.权利要求1的介质材料，其中，介电常数为2.4,张应力小于40MPa,弹性模量约为6-11GPa,且硬度约为0.3-1.7GPa。

200510004304.6权利要求书第2/5页

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14.权利要求13的介质材料，其中，材料的粘合强度约为2.4-3.8J/m2。

15.权利要求13的介质材料，其中，对于2.3微米的膜厚度，所述材料的水中裂纹发展速度不大于1×10?1?m/sec。

16.权利要求1的介质材料，其中，介电常数为2.3,张应力小于40MPa,弹性模量约为5-10GPa,且硬度约为0.25-1.6GPa。

17.权