CN1846461A 取向生长的有机分层结构及其制作方法 (日东电工株式会社).docxVIP

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CN1846461A 取向生长的有机分层结构及其制作方法 (日东电工株式会社).docx

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200480025293.3

[51]Int.Cl.

H05B33/14(2006.01)C09K19/00(2006.01)C30B29/54(2006.01)

[43]公开日2006年10月11日[11]公开号CN1846461A

[22]申请日2004.9.23

[21]申请号200480025293.3

[30]优先权

[32]2003.9.24[33]US[31]60/505,737

[32]2004.9.21[33]US[31]10/947,041

[86]国际申请PCT/US2004/0313052004.9.23

[87]国际公布WO2005/032217英2005.4.7

[85]进入国家阶段日期2006.3.3

[71]申请人日东电工株式会社地址日本大阪

[72]发明人帕维尔·I·拉扎列夫

[74]专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任

公司

代理人章社杲张英

权利要求书7页说明书17页附图3页

[54]发明名称

取向生长的有机分层结构及其制作方法

[57]摘要

本发明涉及分层的有机结构,在该结构中,各向异性晶种层控制后续的取向生长有机层的晶体结构。该结构依次包括基片、球形有序的且分子间距为3.4±0.3A的晶种层、以及有机化合物的至少一个取向生长层。该晶种层由至少为一种带p共轭体系的多环有机化合物的盘形分子构成。至少一层有机化合物取向沉积在所述晶种层之上。本发明还提供一种用于获得分层的有机结构的方法。该方法包括借助于层叠结晶法在基片上形成球形有序的各向异性晶种层。该晶种层具有3.4±0.3?的分子间距,并通过由盘形分子构成的棒状超分子形成,该盘形分子至少为一种具有π共轭体系的多环有机化合物。由蒸汽相或液相在晶种层上外延沉积一个取向生长的有机层以获得分层的有机结构。

200480025293.3权利要求书第1/7页

2

1.一种用于获得分层的有机结构的方法,包括以下步骤:

(a)提供基片,

(b)通过层叠结晶法在所述基片上形成球形有序的各向异性晶种层,

其中所述晶种层具有3.4±0.3?的分子间距,并且所述晶种层通过由盘形分子构成的棒状超分子形成,所述盘形分子至少为一种具有π共轭体系的多环有机化合物,以及

(c)在所述晶种层上外延地沉积至少一个取向生长的有机层。

2.根据权利要求1所述的方法,其中至少一个所述取向生长的有机层是由蒸汽相沉积的。

3.根据权利要求1所述的方法,其中至少一个所述取向生长的有机层是由液相沉积的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述基片由包括塑料、玻璃、陶瓷、金属-陶瓷复合物以及金属的一组材料中的一种或数种材料制成。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述基片由柔性材料制成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述基片由刚性材料制成。

200480025293.3权利要求书第2/7页

3

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中所述基片的表面是平的、凸的、凹的、或者具有结合这些形式的几何形状。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中所述基片表面的至少一部分具有由特定化学键引起的各向异性。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中所述基片的至少一部分具有不平的表面,其中所述表面的不均匀形状属于包括表面网纹、表面形貌、几何形状或浮凸的组。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述表面的不均匀形状是由所述基片材料形成的。

11.根据权利要求9所述的方法,其中所述表面的不均匀形状是由不同于所述基片材料的材料形成的。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法,在形成所述晶种层的步骤之前进一步包括在所述基片上形成至少一个配向层的步骤。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述配向层是通过由气(蒸汽)相倾斜沉积特定材料的方法在所述基片上形成的。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述

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