CN1894788A 制作mems静电夹具的方法 （艾克塞利斯技术公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

H01L21/68(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200480032031.X

[43]公开日2007年1月10日[11]公开号CN1894788A

[22]申请日2004.10.28

[21]申请号200480032031.X

[30]优先权

[32]2003.10.28[33]US[31]10/695,153

[86]国际申请PCT/US2004/0358912004.10.28

[87]国际公布WO2005/045921英2005.5.19

[85]进入国家阶段日期2006.4.28

[71]申请人艾克塞利斯技术公司地址美国马萨诸塞州

[72]发明人P·克雷曼S·秦E·亚伦D·布朗

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人顾珊梁永

权利要求书4页说明书23页附图25页

[54]发明名称

制作MEMS静电夹具的方法

[57]摘要

本发明的目的在于形成用于多极静电夹具的夹钳板的方法。该方法包括在半导体平台上方形成第一导电层并限定该第一导电层的彼此电隔离的多个部分。在第一导电层上方形成第一电绝缘层，该第一电绝缘层包括具有从该处延伸第一距离的多个MEMS突起的顶表面。此外，多个极电连接到第一导电层的相应多个部分，其中在该多个极之间施加的电压可操作用于在夹钳板中感应出静电力。

200480032031.X权利要求书第1/4页

2

1.一种形成用于多极静电夹具的夹钳板的方法，包括：

在半导体平台上方形成第一导电层并限定该第一导电层的彼此电隔离的多个部分；

在第一导电层上方形成第一电绝缘层，该第一电绝缘层包括具有从其延伸第一距离的多个MEMS突起的顶表面；以及

形成电连接到第一导电层的相应多个部分的多个极，其中在该多个极之间施加的电压可操作用于在夹钳板中感应出静电力。

2.如权利要求1的方法，其中形成第一导电层包括在半导体平台上方形成多晶硅层。

3.如权利要求2的方法，其中形成第一导电层进一步包括在多晶硅层上方形成金属层。

4.如权利要求1的方法，其中第一导电层形成在半导体平台的顶表面上方，该方法进一步包括在半导体平台的底表面上方形成第二导电层，其中限定该第二导电层的彼此电绝缘的多个部分。

5.如权利要求4的方法，其中第一导电层和第二导电层通常同时形成。

6.如权利要求4的方法，进一步包括形成将第一导电层的多个部分电连接到第二导电层的相应多个部分的多个垂直互连。

7.如权利要求6的方法，其中形成该多个垂直互连包括在半导体平台的侧壁上方形成多个侧壁接触，其中该多个侧壁接触彼此电隔离，并且其中该多个侧壁接触电连接第一导电层和第二导电层的相应多个部分。

8.如权利要求7的方法，其中形成该多个侧壁接触包括在半导体平台的侧壁上方淀积导电材料。

9.如权利要求8的方法，其中形成该多个侧壁接触包括淀积多晶硅、硅化钨、钨、或钛中的一种或多种。

10.如权利要求6的方法，其中第一导电层、第二导电层、和该多个侧壁接触的形成通常是同时形成的。

11.如权利要求4的方法，其中形成第二导电层包括淀积硅化钨、钨、或钛中的一种或多种。

12.如权利要求4的方法，进一步包括在第二导电层上方形成基

200480032031.X权利要求书第2/4页

3

板，其中该基板可操作用于通过半导体平台将热能从衬底传递到该基板。

13.如权利要求12的方法，其中形成基板包括在其上形成具有彼此电隔离的多个部分的第三导电层，以及将第三导电层的该多个部分电连接到第三导电层的相应多个部分。

14.如权利要求13的方法，其中形成该多个极包括将多个电极接合到第三导电层的相应多个部分。

15.如权利要求13的方法，其中基板包括具有形成在其上方的氧化物层的非晶硅板，其中第三导电层形成在该氧化物层上方。

16.如权利要求13的方法，其中形成第三导电层包括淀积硅化钨、钨、或钛中的一种或多种。

17.如权利要求12的方法，其中形成基板包括将一种或多种