CN1971388A 像素结构及其制作方法 （友达光电股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200610160979.4

[51]Int.Cl.

GO2F1/136(2006.01)

GO2F1/13622006.01)

GO2F1/133(2006.01)HO1L21/00(2006.01)GO9F9/35(2006.01)

[43]公开日2007年5月30日[11]公开号CN1971388A

[22]申请日2006.12.11

[21]申请号200610160979.4

[71]申请人友达光电股份有限公司地址中国台湾新竹

[72]发明人林祥麟蔡晴宇郑逸圣黄国有

[74]专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人梁挥徐金国

权利要求书4页说明书13页附图12页

[54]发明名称

像素结构及其制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种像素结构及其制作方法，其中像素结构，适于配置在一基板上，像素结构包括一扫描线、一数据线、一主动组件、一遮蔽电极与一像素电极。扫描线、数据线、主动组件配置于基板上，其中数据线包括一上层导线与一下层导线。上层导线配置于扫描线上方，且跨越扫描线。下层导线与上层导线电性连接。主动组件电性连接至扫描线与上层导线。遮蔽电极配置于下层导线上方。像素电极位于遮蔽电极上方，并与主动组件电性连接，且部分的像素电极与部分的遮蔽电极构成一存储电容。

200610160979.4权利要求书第1/4页

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1、一种像素结构，设置于一基板上，其特征在于，包括：

一扫描线，配置于该基板上；

一数据线，配置于该基板上，且该数据线包括：一上层导线，配置于该扫描线上方，且跨越该扫描线；一下层导线，电性连接于该上层导线；

一主动组件，配置于该基板上，且该主动组件电性连接于该扫描线以及该上层导线；

一遮蔽电极，配置于该下层导线上；以及

一像素电极，与该主动组件电性连接，其中该像素电极位于该遮蔽电极上，且部分的该像素电极与部分的该遮蔽电极构成一存储电容。

2、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该下层导线与该上层导线部分区域重迭。

3、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该主动组件包括顶栅型薄膜晶体管。

4、根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该顶栅型薄膜晶体管具有一半导体层，且该半导体层具有一与该上层导线电性连接的源极区以及一与该像素电极电性连接的漏极区。

5、根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该半导体层具有一连接于该源极区与该漏极区之间的转折部。

6、根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该源极区、该转折部分与该漏极区所排列的形状，包括实质上L形、实质上U形或实质上S形。

7、根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该转折部包括本征半导体与非本征半导体。

8、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该遮蔽电极的宽度大于该下层导线的宽度。

9、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该遮蔽电极具有一往该扫描线及该数据线的至少一个方向延伸的延伸部。

10、一种显示面板，其特征在于，包括多个如权利要求1所述的像素结构。

11、根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，各该像素结构中的

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各该遮蔽电极彼此电性连接，并连接至一电压。

12、根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，各该主动组件包括顶栅型薄膜晶体管。

13、根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，各该顶栅型薄膜晶体管具有一半导体层，且该半导体层具有一与该上层导线电性连接的源极区以及一与该像素电极电性连接的漏极区。

14、根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，各该半导体层具有一连接于该源极区与该漏极区之间的转折部。

15、根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，各该源极区、该转折部与该漏极区所排列的形状，包括实质上L形、实质上U形或实质上S形。

16、根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，各该遮蔽电极的宽度大于或等于该下层导线的宽度。

17、根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，各该遮蔽电极具有一