CN101577229A 半导体元件及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810096256.1

[51]Int.Cl.

HO1L21/335(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)HO1L29/772(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

[43]公开日2009年11月11日[11]公开号CN101577229A

[22]申请日2008.5.6

[21]申请号200810096256.1

[71]申请人联华电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区[72]发明人刘珀玮蔡成宗江文泰

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人彭久云

权利要求书3页说明书13页附图9页

[54]发明名称

半导体元件及其制作方法

[57]摘要

120120b-120g120182q182182b110130一种半导体元件的制造方法，此方法是在基底上先形成栅极结构。接着，进行第一掺杂及第一应变原子注入工艺。

120

120b

-120g120

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182b

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200810096256.1