碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法编制说明.pdfVIP

国家标准《碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定电感耦合等离子体

质谱法》编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1、立项目的和意义

碳化硅（SiC）是新一代性能优异的宽带隙半导体材料，SiC较传统Si半导

体具有带隙宽、热导率高、饱和电子漂移速率高以及稳定性高等特点，特别适合

用于制造高温、高频、大功率器件，即将引领电能变换从理论到技术的产业技术

革命，成为开关电源、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网等产品技术升

级、竞争力提升的核心技术支撑，具有无比广阔的市场前景。

在SiC晶片生产过程中，需经过厚度、浓度、表面缺陷等多项检测，部分检

验仪器会直接与晶片表面接触，使晶片表面沾染杂质元素。例如：测量载流子浓

度时用的是汞探针电容-电压法，测试时晶片表面会与汞探针直接接触，造成汞

沾污。晶片表面沾染杂质元素会引起器件反向饱和电流迅速增大，导致器件可靠

性变差甚至失效，因此分析和测试SiC晶片表面杂质元素含量对SiC材料及器件

的制造有着重要的作用。本项目提出的碳化硅晶片表面杂质元素含量的测试-电

感耦合等离子体质谱法，可以帮助检测外延材料表面残留的杂质元素含量，排除

对器件制造环节的影响。目前国内外各厂商普遍采用本项目的方法检测晶片表面

杂质元素含量，但并未有成文的标准去进行指导、规范。

在相关标准方面，比较接近的是硅片表面金属元素的测定，但碳化硅外延相

较于硅，增加了硼、硫等非金属元素的测试要求，同时试剂中的元素含量和仪器

设备的材质也要特殊要求。而且硅是只测Si面，碳化硅要测Si面和C面两面。

所以需要新制定符合碳化硅应用需求的标准。

本项目的实施可以规范碳化硅行业测试表面杂质含量的方法，推动行业技术

进步，产业凝聚和发展。以龙头企业应用为导向，组织落实国家重大战略需求，

引领产业发展，扭转缺芯少核的不利局面，打破国际大厂对我国先进半导体领域

的封锁，促进国产化进程。

2、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2025年第三批推荐性国家标准计划

及相关标准外文版计划的通知》（国标委发［2025］12号］）的要求，由广东

1

天域半导体股份有限公司牵头负责制定《碳化硅外延层载流子寿命的测试瞬态

吸收法》，计划编号T-469，项目周期为18个月。由全国半导体设

备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技

术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

3、标准主编单位简况

广东天域半导体股份有限公司，成立于2009年，是我国首家专业从事第三

代宽禁带半导体碳化硅外延晶片研发、设计、制造与销售的国家级高新技术企业，

产品可应用于新能源汽车、光伏储能等领域。经过十余年的技术积累，天域已发

展成为全球碳化硅外延片的主要供应商，在产品技术参数和客户器件良率等方面

已达国际领先水平，是我国碳化硅领域少数具备国际竞争力的企业之一。天域获

得了广东省科技进步二等奖、广东省电子信息科学技术一等奖、广东省科技创新

促进二等奖等多项荣誉；是国家专精特新重点“小巨人”企业、国家高新技术企

业；累计承担国家级重点领域研发项目3项、省级重点领域研发项目5项、市级

项目、横向合作项目4项；拥有核心专利70余项，并成为广东省知识产权示范

企业。

天域高度重视标准工作，由研发部门联合生产、质量等部门组成标准工作团

队，共同致力于推动标准工作。截至目前，天域已主导和参与起草国家标准21

项、行业标准3项、团体标准12项。

4、主要工作过程

4.1起草阶段

标准计划下达后，广东天域立即组织成立正式的标准编制工作组，讨论并形

成了工作计划及任务分工，工作组根据标准制定的原则，开展了相关国内外资料、

标准的研究讨论工作。同时组织相关技术人员进行了测定分析方法的实验工作，

最终按照方法标准的编制原则、框架要求和国家的法律法规，编制完成国家标准

《碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》的讨论稿，

并提交至全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会秘书处。

2025年5月28日，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委

员会在陕西省西安市组织召开了《碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定电感耦

合等离子体质谱法》的讨论会，共有中国电子科技集团公司第四十六研究所、河

北普兴电子科技股份有限公司、云南临沧鑫圆锗