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- 约6.62千字
- 约 11页
- 2026-03-02 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN108265271A
(43)申请公布日2018.07.10
(21)申请号201810046674.3
(22)申请日2018.01.18
(71)申请人精研(东莞)科技发展有限公司
地址523000广东省东莞市长安镇乌沙社
区李屋兴发路56号长实科技园F栋
(72)发明人施正彪郑国宝
(74)专利代理机构北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)11427
代理人陈娟
(51)Int.CI.
C23C14/34(2006.01)
C23C14/14(2006.01)
C23C14/06(2006.01)
C23C14/02(2006.01)
权利要求书2页说明书4页
(54)发明名称
一种物理气相沉积法在产品上制作蓝色膜的方法
(57)摘要
CN108265271A本发明公开了一种物理气相沉积法在产品上制作蓝色膜的方法,其包括清洗除油步骤、底层制备步骤、缓冲层制备步骤、耐磨层制备步骤、颜色层制备步骤、出炉冷却步骤;其中,清洗除油步骤包括有三氯乙烯溶液浸泡清洗处理步骤、除蜡水超声波清洗步骤、丙酮溶液超声波清洗步骤、烘箱烘烤步骤;通过上述工艺步骤设计,本发明的物理气相沉积法在产品上制作蓝色膜的方法所制备而成的蓝色膜具有耐腐蚀性强、抗氧化
CN108265271A
CN108265271A权利要求书1/2页
2
1.一种物理气相沉积法在产品上制作蓝色膜的方法,其特征在于,包括有以下工艺步骤,具体的:
a、清洗除油:
a1、将需要加工的产品先置于三氯乙烯溶液中进行浸泡清洗处理,浸泡清洗处理的时间为5分钟;
a2、再将经三氯乙烯溶液浸泡清洗处理后的产品置于除蜡水中进行超声波清洗,超声波清洗的时间为5分钟;
a3、将经除蜡水超声波清洗的产品置于丙酮溶液中进行超声波清洗,丙酮溶液超声波清洗的时间为3分钟;
a4、将经过丙酮溶液超声波清洗的产品置于烘箱中进行烘烤处理,烘烤处理的温度为150-180℃,烘烤处理的时间为30分钟;待产品烘烤处理完毕后,将产品移出烘箱并自然冷却至室温;
b、底层制备:
b1、将经过烘烤处理且冷却至室温的产品置于真空炉中,启动抽真空装置并进行抽真空处理,待真空炉内部的真空度达到0.1帕时开启真空炉的加热装置,待真空炉内部的温度到达180℃时开始计时恒温30分钟,待恒温时间到达之后关闭真空炉的加热装置并停止加热;
b2、继续启动真空炉的抽真空装置并直至真空炉内部的真空度达到0.8×10?3Pa,而后启动氩气流量控制器并往真空炉内部通入100-150SCCM氩气,待真空炉内部的真空度上升至0.15-0.20Pa后依次开启偏压电源、Cr弧靶电源,偏压电源的电压设定为-250--300V,Cr弧靶电源的电流设定为60-65A,在产品离子轰击5分钟后关闭Cr弧靶电源,此时产品上沉积Cr金属底层;
c、缓冲层制备:
c1、启动氩气流量控制器并往真空炉内部通入250SCCM氩气,以使得真空炉内部的真空度上升至0.3Pa;
c2、将偏压电源的电压设定为-800~-150V并开启Cr柱靶中频电源、TiA1柱靶中频电源,Cr柱靶中频电源的电流设定为25A,TiA1柱靶中频电源的电流设定为20A,在产品离子轰击6-18分钟后在Cr金属底层表面沉积Cr和TiA1混合沉积层,从而制备成缓冲层;
d、耐磨层制备:
d1、启动氩气流量控制器、氮气流量控制器,并往真空炉内部180-280SCCM氩气以及80-150SCCM氮气,以使得真空炉内部的真空度上升至0.41-0.8Pa;
d2、开启Cr靶、TiA1合金靶电源,Cr靶、TiAl合金靶电源的电流设定为20-25A,偏压电源的电压设定为-60--130V,产品转向TiA1靶时沉积TiA1N单层,产品转向Cr靶时沉积CrN单层,从而使TiA1N单层与CrN单层交替沉积形成耐磨层,沉积时间为25-55分钟;
e、颜色层制备:
e1、启动氩气流量控制器、氮气流量控制器、乙炔流量控制器,并往真空炉内部通入180-280SCCM氩气、80-150SCCM氮气以及80-150SCCM乙炔,以使得真空炉内部的真空度上升至0.2-0.6Pa;
e2、开启TiA1合金靶且通电电流为8-18A,并将偏压电源的电压设定为-80--150V,在
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