CN108231594A 一种FinFET器件的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108231594A

(43)申请公布日2018.06.29

(21)申请号201711391067.2

(22)申请日2017.12.21

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人宋雷

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种FinFET器件的制作方法

(57)摘要

CN108231594A本发明公开了一种FinFET器件的制作方法，包括如下步骤：S01:提供SOI衬底；S02:采用阻挡层覆盖上述顶层硅的中间部分，并在顶层硅上方进行硅离子注入，使得未被阻挡层覆盖的顶层硅下方的绝缘埋层转化为富硅二氧化硅，SO3:去除阻挡层，在顶层硅中定义出Fin结构，Fin结构中的沟道位于上述顶层硅的非注入区，源漏位于上述顶层硅的注入区；去除Fin结构以外的顶层硅；S04:去除Fin结构中沟道下方的绝缘埋层，形成悬空的沟道；S05:在上述悬空的沟道外围依次形成全包围的电介质薄膜和栅极；S06:在上述结构中形成侧墙和源漏掺杂。本发明提供的一种FinFET器件的制作方法，可以使得FinFET器件具

CN108231594A

CN108231594A权利要求书1/1页

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1.一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01:提供SOI衬底，所述SOI衬底自上而下依次为顶层硅、绝缘埋层、衬底，其中绝缘埋层为二氧化硅；

S02:采用阻挡层覆盖上述顶层硅的中间部分，并在顶层硅上方进行硅离子注入，使得未被阻挡层覆盖的顶层硅下方的绝缘埋层转化为富硅二氧化硅，其中，顶层硅中未被阻挡层覆盖的部分称为注入区，被阻挡层覆盖的部分称为非注入区；

S03:去除阻挡层，在顶层硅中定义出Fin结构，所述Fin结构包括沟道和源漏，源漏位于沟道的两侧；且Fin结构中的沟道位于上述顶层硅的非注入区，源漏位于上述顶层硅的注入区；去除Fin结构以外的顶层硅；

S04:去除Fin结构中沟道下方的绝缘埋层，形成悬空的沟道；

S05:在上述悬空的沟道外围依次形成全包围的电介质薄膜和栅极；

S06:在上述结构中形成侧墙和源漏掺杂。

2.根据权利要求1所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述SOI衬底自上而下依次为p型掺杂的顶层硅、绝缘埋层、p型掺杂的衬底。

3.根据权利要求1所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述Fin结构中的沟道具有圆形截面或者方形截面。

4.根据权利要求1所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述步骤SO2中在顶层硅上方进行硅离子注入，确保被注入的硅浓度分布的峰值在绝缘埋层中。

5.根据权利要求1所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S03中采用干法刻蚀去除Fin结构以外的顶层硅。

6.根据权利要求1所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S04中采用湿法刻蚀去除Fin结构中沟道下方的绝缘埋层。

7.根据权利要求6所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用HF作为湿法刻蚀剂。

8.根据权利要求1所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述电介质薄膜由二氧化硅、氮化硅、二氧化铪等高介电常数材料中的一种或几种形成。

9.根据权利要求1所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述栅极由多晶硅或金属材料形成。

10.根据权利要求1所述的一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，所述侧墙由二氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成。

CN108231594A说明书1/4页

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一种FinFET器件的制作方法

技术领域

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