CN108303596A 一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法及超薄线圈 （宁波市计量测试研究院（宁波市衡器管理所、宁波新材料检验检测中心））.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108303596A

(43)申请公布日2018.07.20

(21)申请号201810037723.7

(22)申请日2018.01.16

(71)申请人宁波市计量测试研究院(宁波市衡器管理所、宁波新材料检验检测中心)

地址315103浙江省宁波市鄞州区宁波国

家高新区江南路1588号E座

(72)发明人高伟波王顺杰

(74)专利代理机构宁波天一专利代理有限公司

33207

代理人张晨

(51)Int.CI.

G01R29/08(2006.01)

G01R3/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法及超薄线圈

(57)摘要

CN108303596A本发明公开了一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法及超薄线圈，属于检测或产生电磁信号的超薄线圈制作技术，其方法涉及了芯轴支架的选取、薄膜的沉积和逐层卷积、微加工减薄处理和去除芯轴支架等步骤，并得到微米量级厚度的超薄线圈，这种制作方法通过薄膜沉积技术和卷绕方式来代替传统的手工绕制漆包线，技术简单、操作方便，能保证线圈尺寸的精确性和一致性，通过径向切割研磨得到厚度可调的超薄线圈，故线径与线圈整体厚度都在微米以上量级，能精确控制线圈粗细，保证线圈以及线距的高度一致性；另外，经该方法制作的超薄线圈呈圆环状，并具有沿圆环状的轴向切割而成的矩形

CN108303596A

芯轴支架

单层薄膜薄膜沉树

微加工效薄处

去除芯支架

超薄线

CN108303596A权利要求书1/1页

2

1.一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)选择一根圆柱型的芯轴支架(5),该芯轴支架使用便于后期去除的材料制成；

(2)选择一根长条带状的绝缘基底(1),利用薄膜沉积技术先在绝缘基底(1)表面沉积单层导电薄膜(2),再将带有单层导电薄膜的绝缘基底(1)在芯轴支架(5)上逐层卷绕，获得由绝缘层隔离的导电薄带卷，或利用薄膜沉积技术在自转的芯轴支架(5)外表面逐层交替沉积绝缘基底(1)和导电薄膜(2)以形成双层薄膜，获得由绝缘层隔离的导电薄带卷；

(3)将步骤(2)制作的导电薄带卷通过径向切割、磨抛和离子刻蚀而进行微加工减薄处理，并得到线圈；

(4)将经过步骤(3)得到的线圈去除芯轴支架(5),最后得到超薄线圈。

2.根据权利要求1所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的步骤(2)中绝缘基底(1)通过一对水平放置的、可调速的同向同速转动卷筒(3)进行匀速卷动运动，再在一对卷筒之间设有薄膜沉积装置(4),该薄膜沉积装置向绝缘基底(1)表面沉积单层导电薄膜(2);或在竖直放置的芯轴支架(5)两侧分别设有薄膜沉积装置(4),两个薄膜沉积装置向自转的芯轴支架(5)外表面逐层交替沉积绝缘基底(1)和导电薄膜(2)以形成双层薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的绝缘基底(1)采用聚酰亚胺柔性基底或氧化铝为代表的绝缘薄膜，所述的导电薄膜(2)采用铜薄膜为代表的金属导电薄膜或其他可用于沉积的导电材料。

4.根据权利要求1所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的步骤(3)得到线圈，该线圈的上、下表面均镀覆一层薄绝缘层。

5.根据权利要求1所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的步骤(4)中通过高温或化学手段去除芯轴支架(5),最后得到超薄线圈。

6.根据权利要求1所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的薄膜沉积技术是指物理气相沉积或化学气相沉积。

7.一种超薄线圈，通过权利要求1~6任一项所述的利用薄膜沉积技术制作方法得到，其特征在于所述的超薄线圈呈圆环状，该超薄线圈具有沿圆环状的轴向切割而形成的矩形横截面，该矩形的横截面由在内的绝缘基底(1)和在外的导电薄膜(2)交替分布而成，且绝缘基底(1)和导电薄膜(2)的截面也为矩形。

8.根据权利要求7所述的一种超薄线圈，其特征在于所述的绝缘基底(1)的矩形截面边长由膜厚h0和线圈厚度h2组成，导电薄膜(2)的矩形截面边长由膜厚h1和线圈厚度h2组成，该导电薄膜(2)为连接导线的导电层。

9.根据权利要求8所述的一种超薄线圈，其特征在于