CN101771076B 全透明AlGaNGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101771076B

(45)授权公告日2011.08.24

(21)申请号201010013536.9

(22)申请日2010.01.04

(73)专利权人西安电子科技大学

审查员闫东

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人王冲郝跃马晓华张进城曹艳荣杨凌

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/43(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图4页

(54)发明名称

全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN101771076B本发明公开了一种采用透明低电阻率Zn0作栅和源、漏电极的A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决现有A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管不能应用于全透明领域，及现有全透明晶体管特性差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Alo.3Gao.?N层、Ga