CN101771076A 全透明AlGaNGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101771076A

(43)申请公布日2010.07.07

(21)申请号201010013536.9

(22)申请日2010.01.04

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人王冲郝跃马晓华张进城曹艳荣杨凌

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

29/778(2006.01)29/43(2006.01)21/335(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图4页

(54)发明名称

全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN101771076AZnO源ZnO栅ZnO漏GaN帽层Si+注入Aln?GaoNSi注入2DEG本征GaN层GaN缓冲层透明双面抛光蓝宝石本发明公开了一种采用透明低电阻率Zn0作栅和源、漏电极的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管不能应用于全透明领域，及现有全透明晶体管特性差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Alo.?Gao.?N层、GaN帽层和源、漏、栅电

CN101771076A

ZnO源

ZnO栅

ZnO漏

GaN帽层

Si+注入Aln?GaoNSi注入

2DEG

本征GaN层

GaN缓冲层

透明双面抛光蓝宝石

CN101771076A权利要求书1/1页

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1.一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，依次包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、本征GaN层、Alo.3Gao.?N层和GaN帽层，帽层上设有源电极、漏电极和栅电极，其特征在于源电极、漏电极和栅电极均采用透明的Zn0材料，蓝宝石衬底采用透明双面抛光蓝宝石，以实现器件全透明。

2.根据权利要求1所述的A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于Zn0材料为掺杂有Al?O?的透明高电导率材料。

3.一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤：

(1)在双面抛光蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，依次生长GaN缓冲层、本征GaN层、Alo.3Gao.?N层和GaN帽层；

(2)在生长的GaN帽层表面利用PECVD工艺淀积100nm-200nm的SiN钝化层；光刻出源漏区域并采用RIE干法刻蚀去除源漏区域SiN;

(3)利用SiN做掩模在源极、漏极区域采用离子注入工艺注入Si离子；

(4)采用光刻剥离工艺在Si离子注入的源极、漏极区域溅射出100-400nm厚的Zn0层形成透明的源极和漏极；

(5)采用光刻剥离工艺在栅极区域溅射出100-400nm厚的Zn0层形成透明的栅电极。

4.根据权利要求3所述的A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管制作方法，其中步骤(4)的具体实现是采用磁控溅射的方法将靶材为掺有2-3%Al?O?的Zn0粉末，在压强为1-3Pa,衬底温度为25-90℃,溅射功率为30-80W的条件下，预溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材表面和使系统稳定；再在99.9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，分别形成100-400nm厚的Zn0源电极和漏电极。

5.根据权利要求3所述的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制作方法，其中步骤(5)的具体实现是采用磁控溅射的方法将靶材为掺有2-3%Al?O?的Zn0粉末，在压强为1-3Pa,衬底温度为25-90℃,溅射功率为30-80W的条件下，预溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材表面和使系统稳定；再在99.9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，形成100-400nm厚的Zn0栅电极。

CN101771076A说明书1/7页

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全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微电子技术领域，涉及半导体器件，具体