CN101777625A 一种双极型有机薄膜晶体管及其制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101777625A

(43)申请公布日2010.07.14

(21)申请号201010023086.1

(22)申请日2010.01.21

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人王军靳卫鹏顾文魏斌

(74)专利代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)31205

代理人何文欣

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

51/05(2006.01)

51/10(2006.01)

51/30(2006.01)

51/40(2006.01)

权利要求书2页说明书7页

附图2页

(54)发明名称

一种双极型有机薄膜晶体管及其制作方法

(57)摘要

(n)本发明公布了一种采用P-I-N结构的双极型有机薄膜晶体管及其制作方法。本晶体管依次由基板、栅极、绝缘层、第一层有机半导体层、中间隔离层、第二层有机半导体层、源漏电极依次叠层构成顶接触结构，或者由基板、栅极、绝缘层、第一次层有机半导体层、中间隔离层、源漏电极和第二层有机半导体层依次叠层构成底接触结构。各结构层采用真空蒸发、溅射或旋涂方法制备。本发明的结构中，在P型半导体层和N型半导体层中间加入了中间隔离层，可以有效的避免异质结的作用，避免了界面偶极子作用产生的耗尽-增强模式的电荷传输模式，从而可以实现了单一的P型以及N型的两种增强型的传输模式。采用这种

(n)

CN101777625的有机薄膜晶体管，可以广泛应用到有机互补反

CN101777625

CN101777625A权利要求书1/2页

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1.一种双极型有机薄膜晶体管，其特征在于依次由基板(8)、栅极(7)、绝缘层(6)、第一层有机半导体层(5)、中间隔离层(4)、第二层有机半导体层(3)、源漏电极(1,2)层叠构成顶接触结构；或者由基板(8)、栅极(7)、绝缘层(6)、第一层有机半导体层(5)、中间隔离层(4)、源漏电极(1,2)、第二层有机半导体层(3)层叠构成底接触结构。

2.一种双极型有机薄膜晶体管，其特征在于依次由基板(8)、栅极(7)、绝缘层(6)、第一层有机半导体层(5)、中间隔离层(4)、第二层有机半导体层(3)、源漏电极(1,2)层叠构成顶接触结构；或者由基板(8)、栅极(7)、绝缘层(6)、第一层有机半导体层(5)、中间隔离层(4)、源漏电极(1,2)、第二层有机半导体层(3)层叠构成底接触结构。

3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于所述基板(8)材料可为硅片、玻璃、塑料或者陶瓷中任一种。

4.根据权利要求1和权利要求2所述的双极型有机薄膜晶体管，其特征在于所述的两层半导体层(5,3)中间加入的中间隔离层(4)的材料是电导率介于10?~10-1?Q?1cm?1的近绝缘材料。

5.根据权利要求1、或2、或3所述的双极型有机薄膜晶体管，其特征在于所述第一层有机半导体层(5)如果采用n型材料，那么第二层有机半导体层(3)采用p型材料；第一层有机半导体层(5)如果采用p型材料，那么第二层有机半导体层(3)采用n型材料。

6.根据权利要求4所述的双极型有机薄膜晶体管，其特征在于所述的n型材料为氟代酞菁铜(F??CuPc)、氟代酞菁锌(F??ZnPc)、氟代酞菁铁(F??FePc)、氟代酞菁钴(F??CoPc)、氯代酞菁铜(C1??CuPc)、氯代酞菁锌(Cl??ZnPc)、氯代酞菁铁(Cl??FePc)、氯代酞菁钴(Cl??CoPc)、氟代六噻吩(DFH-6T)、氯代六噻吩(DCIH-6T)、C?o、3,4,9,10-花四羧酸二酐(PTCDA),N,N’-二苯基-3,4,9,10-花四羧酸二胺(DP-PTCDI)、四氰基二甲基醌(TCNQ)、1,4,5,8-萘四羧酸二酐(NTCDA)、1,4,5,8-萘四羧酸二胺(NTCDI)、11,11,12,12-四氰基二甲基萘醌(TCNNQ)、四甲基四硒代富瓦烯(TMTSF)中任选一种或多种；