CN107946327A 一种背照式cmos图像传感器结构的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107946327A

(43)申请公布日2018.04.20

(21)申请号201710952663.7

(22)申请日2017.10.13

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人葛星晨

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华张磊

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种背照式CMOS图像传感器结构的制作方法

(57)摘要

CN107946327A本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，包括：提供一已完成正面工艺和背部减薄的硅衬底；在所述硅衬底背面形成网格状的深槽；在所述深槽的内壁表面形成绝缘层，以形成网格状的深槽隔离结构；在所述绝缘层的表面形成扩散阻挡层；在所述深槽中进行金属填充，以形成金属栅与深槽隔离相结合的网格状复合结构。本发明采用对深槽隔离结构和金属栅一次成型的方法，可避开传统工艺中深槽隔离结构与金属栅两者需要高精度对准的要求，并可使深槽隔离结构同时起到金属栅的作用，从而不

CN107946327A

步骤

步骤S01;提供一已完成正面工艺和背部减源的硅衬底

步骡S02;在所述硅村底背面形成网格状的深稽

步骤503:在所述深稻的内壁表面形成绝缘层，以形成网格状的深槽隔离结构

步骤S044在所述绝缘麽的表山形成扩散阻挡层

步驶303,在所述深槽中进行金属填充：以形成杂属栅与深拟隔离相结合的网格状复合结构

步骤S06:对所述硅村成背面进行刻蚀，在深憎隔离结构的网格中形成阳构

步骤507;在所述硅村底背面表面覆益抗反射层

步骤S08;在所述凹槽中进行颜色滤镜材料填充，形成颜色滤镜

CN107946327A权利要求书1/1页

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1.一种背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01:提供一已完成正面工艺和背部减薄的硅衬底；

步骤SO2:在所述硅衬底背面形成网格状的深槽；

步骤SO3:在所述深槽的内壁表面形成绝缘层，以形成网格状的深槽隔离结构；

步骤SO4:在所述绝缘层的表面形成扩散阻挡层；

步骤S05:在所述深槽中进行金属填充，以形成金属栅与深槽隔离相结合的网格状复合结构。

2.根据权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，步骤S01中，所述正面工艺包括在硅衬底正面形成光电二极管阵列；步骤SO2中，形成的网格状的所述深槽位于光电二极管阵列中各光电二极管之间的位置。

3.根据权利要求2所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述深槽的底面与光电二极管的顶面上下交错。

4.根据权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤S06:对所述硅衬底背面进行刻蚀，在深槽隔离结构的网格中形成凹槽；

步骤S07:在所述硅衬底背面表面覆盖抗反射层；

步骤S08:在所述凹槽中进行颜色滤镜材料填充，形成颜色滤镜。

5.根据权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，步骤S02中，通过光刻和刻蚀工艺，在所述硅衬底背面形成网格状的深槽，刻蚀时的深宽比至少为10:1。

6.根据权利要求5所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，步骤SO2之后，还包括去除硅衬底上的光刻胶，并进行清洗。

7.根据权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，步骤S03中，通过CVD或ALD方法，在所述深槽的内壁表面沉积形成绝缘层；步骤SO4中，通过CVD、PVD、ALD或溅射方法，在所述绝缘层的表面形成扩散阻挡层。

8.根据权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，步骤S05中，通过CVD或PVD方法，在所述深槽中进行金属W的填充，然后，采用CMP技术进行表面平坦化处理，去除表面多余的金属W以及扩散阻挡层、绝缘层材料。

9.根据权利要求4所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，其特征在于，步骤S06中，利用网格状的深槽隔离结构为掩膜，对硅衬底背面进行湿法刻蚀。

10.根据权利要求4所述的背照式CMOS图像传感器结构的制作方法，