CN107146812B 增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN107146812B

(45)授权公告日2019.12.03

(21)申请号201710198248.7

(22)申请日2017.03.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107146812A

(43)申请公布日2017.09.08

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维石朋毫杜鸣郝跃王冲

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L29/06(2006.01)

H01L29/40(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

(56)对比文件

CN1649169A,2005.08.03,

JPH1056174A,1998.02.24,CN101414634A,2009.04.22,CN101221980A,2008.07.16,US7671390B2,2010.03.02,CN101276837A,2008.10.01,

审查员肖玲

权利要求书3页说明书14页附图4页

(54)发明名称

增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法

(57)摘要

CN107146812B本发明公开了一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法，其包括：n型GaN衬底(1)、n型GaN漂移层(2)、n型GaN孔径层(3)、电流阻挡层(4)、GaN沟道层(6)和势垒层(7),势垒层上两侧淀积有源极(11),源极之间的势垒层上有p+型GaN帽层(8),p型GaN帽层两侧刻有台阶(9),p+型GaN帽层上淀积有栅极(12),n+型GaN衬底下淀积有漏极(13),钝化层(14)包裹除漏极底部以外的所有区域，钝化层内两侧有阶梯场板(15),阶梯场板与栅极电气连接，钝化层和阶梯场板上有保护层(16)。本发明

CN107146812B

o

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通

CN107146812B权利要求书1/3页

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1.一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件，包括：n+型GaN衬底(1)、n型GaN漂移层(2)、n型GaN孔径层(3)、左右两个对称的电流阻挡层(4)、孔径(5)、GaN沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(14),势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(11),两个源极(11)下方通过离子注入形成两个n+注入区(10),源极(11)之间的势垒层(7)上外延有p+型GaN帽层(8),p型GaN帽层(8)上面淀积有栅极(12),p型GaN帽层(8)两侧刻有两个台阶(9),n型GaN衬底(1)下面淀积有漏极(13),钝化层(14)完全包裹除了漏极底部以外的所有区域，其特征在于：

所述电流阻挡层(4),由第一电流阻挡层(41)和第二电流阻挡层(42)共同构成的二级台阶结构组成，且第一电流阻挡层(41)位于第二电流阻挡层(42)的外侧；

所述孔径(5),包括第一孔径(51)和第二孔径(52),第一孔径(51)位于左、右两个第一电流阻挡层(41)之间，第二孔径(52)位于左、右两个第二电流阻挡层(42)之间；

所述钝化层(14),采用阶梯形状，即在钝化层的两边刻有整数个阶梯，所有阶梯上淀积有连续金属，形成对称的两个整体阶梯场板(15),该阶梯场板(15)与栅极(12)电气连接，形成阶梯栅场板，阶梯场板和钝化层上方覆盖有保护层(16)。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于阶梯场板(15)上边界所在高度高于第一电流阻挡层(41)下边界所在高度，阶梯场板(15)的阶梯数根据钝化层阶梯数m确定，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于电流阻挡层的二级台阶结构(41,42)均采用p型掺杂，且第一电流阻挡层(41)的厚度a为0.5～3μm,宽度b为0.2～1μm,第二电流阻挡层(42)的厚度d为0.3～1μm,宽度e为1.4～3.4μm,ad。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于每个阶梯的高度相等，均为L,且第1阶梯上表面