CN107797396A 导电薄膜对位标记制作方法 （深圳莱宝高科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107797396A

(43)申请公布日2018.03.13

(21)申请号201610809700.4

(22)申请日2016.09.07

(71)申请人深圳莱宝高科技股份有限公司

地址518107广东省深圳市光明新区高新

技术产业园区五号路9号申请人重庆莱宝科技有限公司

(72)发明人王士敏王琦古海裕朱泽力李绍宗

(51)Int.CI.

GO3F9/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图7页

(54)发明名称

导电薄膜对位标记制作方法

CN107797

CN107797396A

(57)摘要

一种导电薄膜对位标记制作方法，包括如下步骤：提供一包括一功能区域和一邻接功能区域的辅助区域的基片，辅助区域用以形成至少一对位标记；在基片之上形成一导电薄膜；在导电薄膜之上形成一正性光阻膜；通过第一光罩曝光正性光阻膜，形成第一曝光区域和保留区域；显影正性光阻膜；蚀刻导电薄膜；通过位于该至少一对位标记之上的第二光罩再次曝光正性光阻膜，形成位于保留区域的第二曝光区域；再次显影正性光阻膜，形成至少一个对位标记。该制作方法节省原材料、工序简单，且能有效避免位于导电薄膜之下的膜层被腐蚀。

提供一基片

在基片上形成一导电薄膜

在导电薄膜上形成一正性光阻膜

通过第一光罩向正性光阻膜照射曝光光

移去第一曝光区域

蚀刻导电薄膜

通过第二光罩向正性光阻膜照射曝光光

移去第二曝光区域

CN107797396A权利要求书1/1页

2

1.一种导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基片，所述基片包括用于切割之后最终形成产品的功能区域和与所述功能区域相邻接的辅助区域，所述辅助区域用以在其之上形成至少一个对位标记；

在所述基片之上形成一导电薄膜；

在所述导电薄膜之上形成一正性光阻膜；

通过第一光罩向所述正性光阻膜照射曝光光，以使所述正性光阻膜的部分区域曝光，所述正性光阻膜曝光的所述部分区域形成为第一曝光区域，所述正性光阻膜未曝光的区域形成为保留区域；

利用第一显影液移去所述第一曝光区域，保留所述保留区域，位于所述正性光阻膜之下的所述导电薄膜的部分区域露出形成为裸露区域；

利用蚀刻液蚀刻所述导电薄膜，蚀刻掉所述裸露区域；

通过第二光罩向所述正性光阻膜照射曝光光，以使所述保留区域部分区域曝光，所述保留区域曝光的所述部分区域形成为第二曝光区域，所述第二光罩位于所述至少一个对位标记之上，且具有与所述至少一个对位标记相同的图案；

利用第二显影液移去所述第二曝光区域，形成所述至少一个对位标记。

2.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述基片是刚性基板或柔性基板。

3.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述基片上下两个表面为平面或者曲面。

4.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述基片上下两个表面中的一个表面形成有所述对位标记，或者所述基片上下两个表面都形成有所述对位标记。

5.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，全部所述对位标记位于所述基片周围区域，或者一部分所述对位标记位于所述基片周围区域。

6.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述对位标记的数量为三个，三个所述对位标记构成一个非对称三角形。

7.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述对位标记呈非对称十字形或非对称三角形。

8.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述基片包括一基板玻璃和一黑色矩阵，所述黑色矩阵位于所述基板玻璃之上。

9.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述导电薄膜为ITO薄膜或金属薄膜，所述正性光阻层厚度为0.8um～1.5um。

10.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述第一显影液是浓度为0.5%～1.5%的KOH溶液，所述第一显影液溶解移去所述第一曝光区域，所述第二显影液是浓度为0.6%～1%的KOH溶液，所述第二显影液溶解移去所述第二曝光区域。

CN107797396A说明书