CN107342535B 基于GeSn-SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权公

(10)授权公告号CN107342535B告日2019.05.31

(21)申请号201710469827.0

(22)申请日2017.06.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107342535A

(43)申请公布日2017.11.10

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人刘艳高曦韩根全郝跃张庆芳

(74)专利代理机构西安文盛专利代理有限公司

61100

代理人佘文英

(51)Int.CI.

H01S5/34(2006.01)

(56)对比文件

CN105610047A,2016.05.25,

US2012068207A1,2012.03.22,

QingFangZhangetal..Theoretical

analysisofperformanceenhancementin

GeSn/SiGeSnlight-emittingdiodeenabledbySi3N4linerstressortechnique.

《Applie