CN105785508A 基于bcb键合工艺的耦合器结构及其制作方法 （江苏尚飞光电科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN105785508A布日2016.07.20

(21)申请号201410821688.X

(22)申请日2014.12.25

(71)申请人江苏尚飞光电科技有限公司

地址226009江苏省南通市南通苏通科技产

业园纬14路30号

申请人中科院南通光电工程中心

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

(72)发明人盛振甘甫烷武爱民仇超王智琪

(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人李仪萍

(51)Int.CI.

GO2BGO2B

GO2B

6/136(2006.01)6/42(2006.01)

6/122(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法

(57)摘要

CN105785508A本发明提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III-V族光增益结