CN105776127A 一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法 （东南大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105776127A

(43)申请公布日2016.07.20

(21)申请号201610256247.9

(22)申请日2016.04.22

(71)申请人东南大学

地址210096江苏省南京市四牌楼2号

(72)发明人凌新生袁志山

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204

代理人柏尚春

(51)Int.CI.

B81C1/00(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法

(57)摘要

CN105776127A本发明提供一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构及其制作方法。包括：首先提供一硅基体作为基板；在基体两侧表面通过LP-CVD工艺沉积由3层纳米薄膜组成的结构层，从基体向上分别为SiN/SiO?/SiN;接着使用LP-CVD工艺在所述结构层表面沉积牺牲层；刻蚀基体一侧所述结构层和所述牺牲层形成基体释放窗口；接着使用碱性溶液刻蚀所述硅基体得到由所述结构层和所述牺牲层组成的自支撑纳米薄膜。刻蚀掉所述自支撑纳米薄膜上