CN103765595A 包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法 （美光科技公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN103765595A布日2014.04.30

(21)申请号201280041260.2

(22)申请日2012.08.21

(30)优先权数据

13/215,9682011.08.23US

代理人孙宝成

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2014.02.24

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2012/0517112012.08.21

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2013/028685EN2013.02.28

(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州

(72)发明人古尔特杰·S·桑胡

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限

责任公司11287

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法

(57)摘要

CN103765595A本发明揭示一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含在衬底上面延伸的台面。所述台面具有在所述台面的第一侧与第二侧之间的沟道区。第一栅极在所述台面的第一侧上，所述第一栅极包括第一栅极绝缘体及第一栅极导体，所述第一栅极导体包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯。所述栅极导体可包括呈一个或一个以上单层的石墨烯。本发明还揭示一种用于制作所述半导体装置结构的方法；一种包含具有所述所揭

CN103765595A

100

100

124

140

126

150-

121

120

122

130125

160-

50

160

50

50

123

150

140

CN103765595A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体装置结构，其包括：

台面，其在衬底上面延伸，所述台面包括：

沟道区，其在所述台面的第一侧与第二侧之间；

第一栅极，其在所述台面的所述第一侧上，所述第一栅极包括：

第一栅极绝缘体；及

第一栅极导体，其包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：

第二栅极，其在所述台面的所述第二侧上，所述第二栅极包括：

第二栅极绝缘体；及

第二栅极导体，其包括上覆于所述第二栅极绝缘体上的石墨烯。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括：

第一金属籽晶，其在所述第一栅极导体上，及

第二金属籽晶，其在所述第二栅极导体上。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第二栅极操作以结合所述第一栅极来控制所述沟道区中的电流流动。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一栅极导体包括至少一个石墨烯层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一栅极导体的厚度小于所述第一栅极绝缘体的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述半导体装置结构安置于垂直晶体管装置阵列内，所述垂直晶体管装置阵列包括：

第一多个所述台面，其在所述衬底上面延伸，所述第一多个台面中的每一台面包括：

所述第一侧及所述第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，所述第一多个所述

台面中的所述台面的所述第一侧彼此对准，且所述第一多个台面中的所述台面的所述第二侧彼此对准；

所述第一栅极绝缘体，其沿着所述台面的所述第一侧；及

所述第一栅极导体，其沿着所述第一栅极绝缘体；及

第一多个绝缘体材料分段，所述第一多个分段中的每一绝缘体材料分段将所述第一多个所述台面中的所述台面中的一者与所述第一多个台面内的另一台面分离。

8.根据权利要求7所述的半导体装置结构，其中所述第一多个台面中的每一台面进一步包括：

第二栅极绝缘体，其沿着所述第一多个台面中的所述每一台面的所述第二侧；及第二栅极导体，其沿着所述第二栅极绝缘体，所述第二栅极导体包括石墨烯。

9.根据权利要求7所述的半导体装置结构，其中所述第一栅极导体沿着金属籽晶的垂直侧定位。

10.根据权利要求7所述的半导体装置结构，其中所述垂直晶体管装置阵列进一步包括：

栅极绝缘体侧壁，其包括沿着所述第一多个台面中的所述台面的所述第一侧的所述第一栅极绝缘体；及

CN103765595A