CN103765595B 包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法 （美光科技公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103765595B公告日2017.02.15

(21)申请号201280041260.2

(22)申请日2012.08.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103765595A

(43)申请公布日2014.04.30

(30)优先权数据

13/215,9682011.08.23US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.02.24

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2012/0517112012.08.21

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2013/028685EN2013.02.28(73)专利权人美光科技公司

地址美国爱达荷州

(72)发明人古尔特杰·S·桑胡

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

代理人孙宝成

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

US

US

US

2010/02951202010/0025660

2004/0026734

A1,2010.11.25,A1,2010.02.04,

A1,2004.02.12,

JP特开2003-209122A,2003.07.25,CN101783366A,2010.07.21,

US2004/0185683A1,2004.09.23,审查员冯月华

权利要求书3页说明书10页附图4页

(54)发明名称

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(57)摘要

CN103765595B本发明揭示一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含在衬底上面延伸的台面。所述台面具有在所述台面的第一侧与第二侧之间的沟道区。第一栅极在所述台面的第一侧上，所述第一栅极包括第一栅极绝缘体及第一栅极导体，所述第一栅极导体包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯。所述栅极导体可包括呈一个或一个以上单层的石墨烯。本发明还揭示一种用于制作所述半导体装置结构的方法；一种包含具有所述所揭示结构的半导体装置的垂直晶体管装置阵列；及一种用于制作所述垂直晶体管装置阵列的方

CN103765595B

CN103765595B权利要求书1/3页

2

1.一种半导体装置结构，其包括：

台面，其在衬底上面延伸，所述台面包括：

沟道区，其在所述台面的第一侧与第二侧之间；

第一栅极，其在所述台面的所述第一侧上，所述第一栅极包括：

第一栅极绝缘体；及

第一栅极导体，其包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯；

另一台面，其在所述衬底上面延伸；

另一栅极，其在所述另一台面的一侧上，所述另一栅极包括：

另一栅极绝缘体；及

另一栅极导体，其包括上覆于所述另一栅极绝缘体上的石墨烯；以及

金属籽晶，其接触所述第一栅极的所述第一栅极导体并接触所述另一栅极的所述另一栅极导体，且

所述金属籽晶在所述第一栅极的所述第一栅极导体和所述另一栅极的所述另一栅极导体之间延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其进一步包括：

第二栅极，其在所述台面的所述第二侧上，所述第二栅极包括：

第二栅极绝缘体；及

第二栅极导体，其包括上覆于所述第二栅极绝缘体上的石墨烯。

3.根据权利要求2所述的半导体装置结构，其进一步包括：

另一金属籽晶，其在所述第二栅极导体上。

4.根据权利要求2所述的半导体装置结构，其中所述第二栅极操作以结合所述第一栅极来控制所述沟道区中的电流流动。

5.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一栅极导体包括至少一个石墨烯层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一栅极导体的厚度小于所述第一栅极绝缘体的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述半导体装置结构安置于垂直晶体管装置阵列内，所述垂直晶体管装置阵列包括：

第一多个所述台面，其在所述衬底上面延伸，所述第一多个台面中的每一台面包括：

所述第一侧及所述第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，所述第一多个所述台面中的所述台面的所述第一侧彼此对准，且所述第一多个台面中的所述台面的