CN103760638A 一种平面光波导器件制作方法 （四川飞阳科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103760638A

(43)申请公布日2014.04.30

(21)申请号201410057208.7

(22)申请日2014.02.20

(71)申请人四川飞阳科技有限公司

地址610209四川省成都市双流县西南航空

港经济开发区长城路一段185号

(72)发明人柳进荣李朝阳

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人王宝筠

(51)Int.CI.

GO2B6/13(2006.01)

GO2B6/136(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种平面光波导器件制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种平面光波导器件制作方法，包括：在二氧化硅芯层上形成光刻胶掩膜，对所述光刻胶掩膜进行热板坚膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅芯层，形成波导芯层。直接采用光刻胶作为二氧化硅芯层的掩膜，无需制作多晶硅层或金属层，简化了制作流程，工艺简单，降低了制作过程中出现错误的几率，提供了产品的良率。并且，采用热板坚膜工艺对光刻胶掩膜进行坚膜，提高了光刻胶掩膜的强度，降低了在刻蚀二氧化硅芯层时对光刻胶掩膜形貌的破坏，最大程度降低了光刻胶掩膜形貌差而对二氧化硅芯层的刻蚀产生不良影响。

在二氧化硅芯层上形成光刻胶掩膜

对所述光刻股掩膜进行热被坚膜

采用干法刻蚀工艺刻惊所述二氧化硅芯层，形成波导芯层

形成波导上包层

S4

CN

CN103760638A

CN103760638A权利要求书1/1页

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1.一种平面光波导器件制作方法，其特征在于，包括：

在二氧化硅芯层上形成光刻胶掩膜；

对所述光刻胶掩膜进行热板坚膜；

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅芯层，形成波导芯层。

2.根据权利要求1所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜为正性光刻胶掩膜。

3.根据权利要求2所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜厚度范围为2μm～3μm,包括端点值。

4.根据权利要求3所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜厚度为2.7μm。

5.根据权利要求3所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述热板坚膜的温度范围为100℃~120℃,包括端点值，时间范围为50s～70s,包括端点值。

6.根据权利要求5所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述热板坚膜的温度为110℃,时间为60s。

7.根据权利要求1所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺为电感耦合等离子体刻蚀工艺。

8.根据权利要求7所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数为基片温度范围为9℃~11℃,包括端点值；

压强范围为5mtorr～7mtorr,包括端点值；

C?F?气体流量范围为13sccm～15sccm,包括端点值；

He气体流量范围为173sccm～175sccm,包括端点值；

H?气体流量范围为9sccm～11sccm,包括端点值；

上电极功率范围为1650W～1750W,包括端点值；

下电极功率范围为480W～520W,包括端点值；

反应时间范围为20min～22min,包括端点值。

9.根据权利要求8所述的平面光波导器件制作方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数为基片温度为10℃;

压强为6mtorr;

C?F?气体流量为14sccm;

He气体流量为174sccm;

H?气体流量为10sccm;

上电极功率为1700W;

下电极功率为500W;

反应时间为21min。

CN103760638A说明书1/5页

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一种平面光波导器件制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及平面光波导器件技术领域，更具体地说，涉及一种平面光波导器件制作方法。

背景技术

[0002]平面光波导(PlanarLightwaveCircuit,PLC)就是将光学模块整合在晶圆上的技术，有助于光通讯组件集成化，缩小体积，以及减少封装次数。平面光波导器件与诸如棱