CN103762234A 基于超结漏场板的AlGaNGaN MISHEMT高压器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103762234A

(43)申请公布日2014.04.30

(21)申请号201410030941.X

(22)申请日2014.01.22

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

基于超结漏场板的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法

(57)摘要

CN103762234A本发明公开了一种基于超结漏场板的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN(或AlGaN)沟道层、A1N隔离层和AlGaN势垒层，A1GaN势垒层上有：源极、栅极和复合漏极，栅源间、栅漏间还有线性A1GaN层、栅源场板、P型GaN层、基极，栅极与AlGaN势垒层之间有绝缘介质层。本发明的有益之处在于：器件导通时第一、第二和第三区域的2DEG浓度增加，电阻减小，降低了器件导通电阻；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，提高了器件击穿电压；复合漏极结构和栅源场板确保了电场峰值不会出现在漏极边缘和栅靠近源的边界处，提高了击穿电压；

CN103762234A

CN103762234A权利要求书1/2页

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1.基于超结漏场板的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征A1GaN或GaN沟道层、A1N隔离层和A1GaN势垒层，AlGaN势垒层上沿水平方向依次有：源极、栅极和复合漏极，所述复合漏极包括：漏极、由所述漏极同时向上和向栅极方向延伸形成的漏极场板，在源极与栅极之间、栅极与漏极之间的A1GaN势垒层上方的全部区域外延有线性AlGaN层，漏极场板在线性A1GaN层的上方，所述栅极还向源极方向延伸形成有与线性AlGaN层上表面接触的栅源场板，栅极与A1GaN势垒层之间还设置有绝缘介质层，栅极与复合漏极之间的线性A1GaN层上外延有P型GaN或InGaN外延层，且P型GaN或InGaN外延层上有与栅极电连接的基极，栅极与复合漏极之间的线性AlGaN层、P型GaN或InGaN外延层的宽度依次减小；所述A1GaN势垒层由下层的i型A1GaN层和上层的n型A1GaN层组成；所述源极、栅极、复合漏极和基极的上表面还形成有加厚电极，加厚电极的两侧均形成有钝化层。

2.根据权利要求1所述的基于超结漏场板的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的基于超结漏场板的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述A1GaN势垒层中，A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为x、1-x、1,

1x0。

4.根据权利要求3所述的基于超结漏场板的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述线性A1GaN层中，Al的组分由x线性增加到y,且A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为y、1-y、1,1yx0。

5.根据权利要求3所述的基于超结漏场板的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述本征AlGaN沟道层中，Al的组分小于x,且A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为z、1-z、1,1xz0。

6.根据权利要求1所述的基于超结漏场板的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述绝缘介质层为SiN、Al?O?或HfO?。

7.根据权利要求1所述的基于超结漏场板的AlGaN/G