CN103733308A 氮化物半导体结构以及其制作方法 （日本电信电话株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103733308A

(43)申请公布日2014.04.16

(21)申请号201280037824.5

(22)申请日2012.09.05

(30)优先权数据

2011-1933502011.09.05JP

2011-1933482011.09.05JP

2012-0801172012.03.30JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2014.01.28

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2012/0056332012.09.05

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2013/035325JA2013.03.14

(71)申请人日本电信电话株式会社地址日本东京都

(72)发明人小林康之熊仓一英赤坂哲也牧本俊树

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人刘宗杰吕琳

(51)Int.CI.

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21/20(2006.01)

21/02(2006.01)

21/205(2006.01)33/32(2006.01)

权利要求书4页说明书23页附图27页

(54)发明名称

氮化物半导体结构以及其制作方法

(57)摘要

CN103733308A本发明的氮化物半导体结构生长出h-BN薄膜或者t-BN薄膜(12)以及纤锌矿型AlGa??N(x0)薄膜(14)作为缓冲层，在其上形成单晶纤锌矿型AlGaInBN薄膜(13)。GaN、AlGaN、A1N等为具有sp3键的纤锌矿型结构，相对于此，h-BN、t-BN为具有sp2键的石墨型结构，而晶体结构完全不同。因此，以往没能考虑到能够在石墨型h-BN薄膜上生长纤锌矿型AlGaInBN薄膜。与此相对，当在石墨型氮化硼薄膜(12)上形成纤锌矿型Al、Ga??N(x0)薄膜(14)作为缓冲层时，可以在其上生长出GaN等纤锌矿型AlGaInBN(13)氮化物半导体结

CN103733308A

13

14

12

~11

CN103733308A权利要求书1/4页

2

1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，具备：

石墨型氮化硼薄膜、

上述石墨型氮化硼薄膜上的纤锌矿型A1、Ga??N薄膜、以及

上述纤锌矿型AlGa?N薄膜上的纤锌矿型AlGaInBN薄膜，

其中，x0。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

还具备蓝宝石基板，

上述石墨型氮化硼薄膜以及上述纤锌矿型A1、Ga?N薄膜构成上述蓝宝石基板上的缓冲层，

其中，x0。

3.根据权利要求1或2中所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜是(0001)六方晶氮化硼薄膜或乱层氮化硼薄膜。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜具有一个原子层以上的膜厚。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氮化物半导体结构，其特征在于，还具备：

上述纤锌矿型AlGaInBN薄膜上的多重量子阱、以及

上述多重量子阱上的第二纤锌矿型AlGaInBN薄膜。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

还具备蓝宝石基板以外的基板上的接合层，

上述纤锌矿型AlGa??N薄膜以及上述石墨型氮化硼薄膜构成缓冲层，其中，x0。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述接合层是导电性的。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，还具备：

蓝宝石基板；

上述蓝宝石基板上的纤锌矿A1N、纤锌矿GaN薄膜或纤锌矿AlGaN薄膜；以及

上述纤锌矿A1N、纤锌矿GaN薄膜或纤锌矿AlGaN薄膜上的纤锌矿型AlGa??N薄膜，

上述纤锌矿A1N、上述纤锌矿GaN薄膜或上述纤锌矿AlGaN薄膜构成上述蓝宝石基板上的缓冲层，

上述纤锌矿型Al.Ga?-N薄膜、上述石墨型氮化硼薄膜和上述纤锌矿型Al?Ga??N薄膜构成上述缓冲层上的双异质结构，其中，x0。

9.根据权利要求8所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜为(0001)六方晶氮化硼薄膜或者乱层氮化硼薄膜。

10.根据权利要求9所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄