CN103367144A 沟槽式井区电场屏蔽功率mosfet结构及制作方法 （马克斯半导体股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103367144A

(43)申请公布日2013.10.23

(21)申请号201210082499.6

(22)申请日2012.03.26

(71)申请人马克斯半导体股份有限公司地址美国加利福尼亚州

(72)发明人苏世宗曾军

穆罕默德·恩·达维希

(74)专利代理机构北京市浩天知识产权代理事务所11276

代理人刘云贵

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图20页

(54)发明名称

沟槽式井区电场屏蔽功率MOSFET结构及制作方法

(57)摘要

CN103367144A一种沟槽式井区电场屏蔽功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制作方法，用以在单一记忆单元(Unitcell)的各沟槽结构下提供具有电场屏蔽的井区，而达到增加击穿电压与降低漏电流。其中，该制作方法是在基板及外延层上蚀刻出栅极沟槽与源极沟槽，再借