CN104701405B 碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法 (西安电子科技大学).docxVIP

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CN104701405B 碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法 (西安电子科技大学).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104701405B公告日2017.05.17

(21)申请号201510098787.4

(22)申请日2015.03.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104701405A

(43)申请公布日2015.06.10

(51)Int.CI.

HO1L31/103(2006.01)

HO1L31/0224(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

审查员朱永全

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

专利权人中国工程物理研究院核物理和化学研究所

(72)发明人郭辉梁佳博张玉明

蒋树庆宋朝阳

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法

4(57)摘要

4

CN104701405B26:735本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、

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