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CN116033747B 半导体结构及其形成方法 （长鑫存储技术有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-04 发布于山西
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CN116033747B 半导体结构及其形成方法 （长鑫存储技术有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN116033747B

    (45)授权公告日2025.05.30

    (21)申请号202310014263.7

    (22)申请日2023.01.05

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN116033747A

    (43)申请公布日2023.04.28

    (73)专利权人长鑫存储技术有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人唐怡吴琼肖剑锋

    (51)Int.Cl.

    H10B12/00(2023.01)

    (56)对比文件

    CN115101

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