2026年大学微电子科学与工程半导体器件试题及答案.docx

2026年大学微电子科学与工程(半导体器件)试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.当PN结处于正向偏置状态时，以下关于载流子运动的描述正确的是()

A.只有多子从P区注入N区

B.只有多子从N区注入P区

C.多子相互注入，且少子的注入可以忽略

D.多子相互注入，少子的注入是正向电流的主要来源

答案：D

解析：PN结正向偏置时，势垒降低，P区多子空穴注入N区，N区多子电子注入P区；这些注入的载流子在对方区域成为少子，通过扩散运动形成正向电流，因此少子的注入是正向电流的主要来源，A、B、C选项描述均错误。

2.以下关于MOSFET阈值电压VT的描述，正确的是()

A