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CN119495583A 半导体结构的形成方法 （中芯国际集成电路制造(北京)有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-06 发布于山西
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CN119495583A 半导体结构的形成方法 （中芯国际集成电路制造(北京)有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119495583A

    (43)申请公布日2025.02.21

    (21)申请号202311028847.6

    (22)申请日2023.08.15

    (71)申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

    地址100176北京市大兴区经济技术开发

    区文昌大道18号

    申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

    公司

    (72)发明人单立冬仝海跃

    (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

    公司11227

    专利代理师吴敏

    (51)Int.Cl.

    H01L21/66(2006.01)

    H01L21/265(

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