CN119495737A 一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用 （武汉理工大学三亚科教创新园）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495737A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202510065542.5

(22)申请日2025.01.16

(71)申请人武汉理工大学三亚科教创新园

地址572000海南省三亚市崖州湾科技城

用友产业园9号楼

(72)发明人麦立强周亮安琴友刘金帅余若瀚张磊

(74)专利代理机构海南汉普知识产权代理有限

公司46003

专利代理师麦海玲

(51)Int.Cl.

H01M4/38(2006.01)

H01M10/0525(2010.01)

H01M4/62(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图7页

(54)发明名称

一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应

用

(57)摘要

CN119495737A本发明公开了一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用，涉及电池材料领域。该方法包括以下步骤：（1）将废旧光伏硅片通过超声处理进行清洁，得到预处理硅片；（2）将步骤（1）预处理硅片和碳源材料进行反应，得到硅碳复合材料；（3）将步骤（2）硅碳复合材料进行蚀刻，得到多孔硅碳混合物；（4）将步骤（3）多孔硅碳混合物真空过滤，干燥，得到最终产品。本发明制备的多孔硅材料应用于锂离子电池负极材料，表现出优异的电化学性能，具有高