摘要
钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其制造成本低、光伏转换效率高、低温加工以及与串联太阳能电
池结构的兼容性而受到广泛关注。目前,其功率转换效率(PCE)已达到27%,接近硅太阳能电池,
显示出广阔的应用潜力。然而,钙钛矿晶态薄膜体相和界面存在大量缺陷,导致难以达到Shockley
-Queisser(S-Q)的理论极限值,且缺陷会进一步影响器件的稳定性。埋底界面包括界面缺陷态、
电荷提取和输运以及载流子的非辐射复合等方面对层状钙钛矿太阳能电池器件具有重要影响。
含有富电子共轭骨架
摘要
钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其制造成本低、光伏转换效率高、低温加工以及与串联太阳能电
池结构的兼容性而受到广泛关注。目前,其功率转换效率(PCE)已达到27%,接近硅太阳能电池,
显示出广阔的应用潜力。然而,钙钛矿晶态薄膜体相和界面存在大量缺陷,导致难以达到Shockley
-Queisser(S-Q)的理论极限值,且缺陷会进一步影响器件的稳定性。埋底界面包括界面缺陷态、
电荷提取和输运以及载流子的非辐射复合等方面对层状钙钛矿太阳能电池器件具有重要影响。
含有富电子共轭骨架
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