CN119604001A 一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构及制造方法 （苏州聚谦半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604001A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311099874.2

(22)申请日2023.08.29

(71)申请人苏州聚谦半导体有限公司

地址215123江苏省苏州市苏州工业园区

星湖街328号创意产业园21-A401-001

单元

(72)发明人黄子伦

(74)专利代理机构上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286

专利代理师黄海霞

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型

结构及制造方法

(57)摘要

CN119604001A本发明公开了一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构及制造方法，新型结构包括：设于衬底上的半导体层，所述半导体层中设有第一种掺杂类型的漂移区；自所述半导体层表面进入所述半导体层，并位于所述漂移区中的沟槽；设于所述沟槽的内壁表面上的缓冲层，所述缓冲层以内的所述沟槽中形成填充空腔；所述缓冲层与所述半导体层含有同一种第一元素，且所述缓冲层还含有与所述第一元素不同的至少一种第二元素。本发明能够有效控制沟槽内外材料