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探测器芯片研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.探测器芯片常用半导体材料除硅外，还有______。

2.光刻工艺核心是将______转移到晶圆上。

3.量子效率（QE）定义为______与入射光子数的比值。

4.CMOS探测器读出电路集成在______衬底上。

5.暗电流是指______下的漏电流。

6.红外探测器常用制冷方式包括机械制冷和______制冷。

7.TO封装常用于______探测器。

8.响应度（R）单位通常是______。

9.硅基CMOS探测器对______波长光响应较好。

10.抗辐射加固通常针对______效应。

填空题答案

1.砷化镓（或碲镉汞）2.掩模图案3.光生载流子数4.硅5.无光照6.热电（TEC）7.光电8.A/W（或V/W）9.可见光/近红外10.总剂量（或单粒子翻转）

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.适合长波红外探测器的材料是？

A.硅B.砷化镓C.碲镉汞D.氮化镓

2.光刻显影的作用是？

A.去除未曝光光刻胶B.去除已曝光光刻胶C.沉积金属D.刻蚀晶圆

3.探测器线性度指？

A.输出与输入线性关系B.响应时间线性关系C.温度线性关系D.暗电流线性关系

4.适合高速探测器的读出电路是？

A.APSB.PPSC.CCDD.普通CMOS

5.QFN封装引脚位置是？

A.底部B.四周C.无引脚D.顶部

6.InGa