CN119833471A 保护环结构的制备方法 （江苏卓胜微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833471A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311321682.1

(22)申请日2023.10.12

(71)申请人江苏卓胜微电子股份有限公司

地址214072江苏省无锡市滨湖区建筑西

路777号A3幢11层

(72)发明人高科付超群施文强陈弼猛姚磐张京晶

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师郭凤杰

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H10D62/10(2025.01)

H01L23/58(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图4页

(54)发明名称

保护环结构的制备方法

(57)摘要

CN119833471A本申请涉及一种保护环结构的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、半导体器件以及第一介质层，所述半导体器件基于所述半导体衬底加工形成，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底以及所述半导体器件；刻蚀所述第一介质层以及所述半导体衬底，形成第一保护环通孔；于所述第一介质层上表面以及所述第一保护环通孔内形成可流动掩膜层；于所述可流动掩膜层表面形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层以及可流动掩膜层进行图形化处理，形成图形化掩膜层；基于所述