CN119835980B 一种低阈值电压的vdmosfet器件及其制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119835980B

(45)授权公告日2025.06.06

(21)申请号202510309930.3

(22)申请日2025.03.17

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119835980A

(43)申请公布日2025.04.15

(73)专利权人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405（自主分割）

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代理有限公司44795

专利代理师孙平

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

(56)对比文件

CN113903670A,2022.01.07

CN105957895A,2016.09.21审查员肖玲

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种低阈值电压的VDMOSFET器件及其制备

方法

(57)摘要

CN119835980B本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低阈值电压的VDMOSFET器件，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极