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场发射理论概述

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TOC\o1-3\h\u16856场发射理论概述 1

107281.1Fowler-Nordheim理论 1

315041.2碳纳米管场致发射理论 2

300761.3场致发射性能参数 3

1.1Fowler-Nordheim理论

场发射是一种依靠外加强电场来抑制物体表面的势垒，从而降低势垒高度且使其势垒宽度变窄，使物体内的电子可以穿过表面势垒区逸出发射到真空中的现象。早期的场发射的电子源通常为金属。二十世纪初，R.H.Fowler和L.W.Nordheim两位科学家开始研究金属场发射的相关理论，最终运用了量子力学中的隧道效应对场发射现象给予了科学的解释。

图2-2表面势垒变化及电子遂穿示意图[17]

图2-2为表面势垒变化及电子遂穿示意图。图2-2左边是导体中电子数量N随能量的变化曲线，在金属内部，电子的能量服从费米-狄拉克分布，在超过费米能级的部分，电子数量会急剧减少，因此在常温下往往无法发生场致电子发射。图2-2右边为导体表面真空势垒的形状示意图，其中将功函数定义为真空能级与导体费米能级的能量差值。曲线a体现了无外加电场作用时表面真空势垒的形状。在外加电场作用下，真空势垒形状会发生变化，像曲线b所示，此时势垒高度会降低，宽度也会相应变窄。当势垒宽度窄到足以与电子波长相比拟时，电子便可以穿过势垒发射到真空