GB_T 11446.6-2013 中文版 电子级水测试方法 全硅测定.docxVIP

GB_T11446.6-2013中文版电子级水测试方法全硅测定

前言

在半导体、显示面板制造工艺中，电子级水中硅杂质分为溶解态可溶性硅与胶体、颗粒形态的非溶解硅，二者合计为全硅。水中硅杂质即便处于微克每升级别，依旧会在晶圆高温工艺中析出沉积，形成薄膜缺陷、图形畸变，造成器件漏电、良率下滑；同时硅会在纯水系统混床、管路、膜元件表面形成硅垢，造成纯水设备性能衰减。电阻率指标仅反映离子总水平，无法识别硅杂质，胶体硅不属于离子形态，不会改变电阻率读数，极易成为被忽视的工艺风险点。实验室检测中，玻璃器皿溶出硅、试剂带入杂质、显色条件控制不当，都会造成数据大幅偏移，过去行业缺少统一标准化操作流程，不同实验室之间检测结果可比性较差。

GB/T11446.6-2013《电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法》2013-12-31发布，2014-08-15正式实施，替代旧版GB/T11446.6-1997，属于GB/T11446电子级水整套标准体系第六部分，归口中国电子技术标准化研究院，与阴离子、金属离子、TOC、微粒、细菌总数等检测方法共同组成电子级水完整检验矩阵。该标准采用硅钼蓝分光光度法，同时覆盖可溶性硅与全硅两套测定流程，明确方法检出限1μg/L，完整规定试剂配制、器皿要求、取样、消解、显色、干扰消除、校准计算，引用GB/T11446.3-2013电子级水测试方法通则作为通用