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2025年半导体芯片制造工职业技能考试题(含答案)

第一部分单项选择题（共20题，每题1.5分，总计30分。每题只有1个正确答案，错选、不选均不得分）

1.2025年全球先进逻辑芯片量产线采用的主流晶圆衬底尺寸为（）

A.150mm（6英寸）B.200mm（8英寸）C.300mm（12英寸）D.450mm（18英寸）

2.当前量产应用的EUV极紫外光刻设备采用的曝光光源核心波长为（）

A.248nmB.193nmC.157nmD.13.5nm

3.2025年3nm逻辑芯片量产工艺采用的主流晶体管结构为（）

A.平面MOSFETB.FinFET鳍式场效应管C.GAA环绕栅极晶体管D.隧穿场效应管

4.依据ISO14644-1洁净室分级标准，ISOClass1等级洁净区内，每立方米空气中直径≥0.1μm的悬浮粒子最大允许数量为（）

A.1个B.10个C.100个D.1000个

5.车规级SiC功率器件量产要求中，外延层三角形缺陷密度需控制的阈值为（）

A.≤0.1个/cm2B.≤1个/cm2C.≤5个/cm2D.≤10个/cm2

6.光刻工艺中，涂胶后开展软烘（前烘）工序的核心目的是（）

A.使光刻胶发生交联反应固化刻蚀图案B.增强光刻胶与晶圆表面粘附性，去除胶内残留溶剂

C.提升刻蚀工艺的