ASTM D8367-21 中文版 半导体超纯水系统中紫外线消毒技术设计标准指南（行业参考稿）.docxVIP

ASTMD8367-21中文版半导体超纯水系统中紫外线消毒技术设计标准指南（行业参考稿）

前言

本指南面向28nm~3nm及以下先进半导体晶圆制造超纯水（UPW）系统紫外线处理单元的选型、水力设计、设备材质、剂量设计、仪表监测、调试、运维的专项技术指南。

超纯水紫外单元两大核心功能：

254nm紫外：微生物灭活，抑制生物膜；

185nm真空紫外：氧化降解微量有机物（TOC消解），生成羟基自由基，去除抛光树脂无法去除的小分子有机污染物。

本文件无ASTM官方中文译本，为行业工程翻译整理稿，仅用于技术研究。

1适用范围

本指南适用于半导体晶圆厂超纯水系统抛光段紫外线氧化/消毒反应器，包含低压汞灯UV、准分子UV、UV-LED紫外设备的系统设计。

覆盖：反应器本体、灯管、石英套管、管路、流量分配、紫外剂量监测、控制联锁、安全保护。

适用制程：28nm、14nm、7nm、5nm、3nm逻辑及存储芯片产线。

不适用：原水预处理UV、废水回用紫外、普通工业纯水紫外消毒系统。

2规范性引用文件

ASTMD5127电子与半导体行业超纯水指南

ASTMD6317水中总有机碳（TOC）测试方法

SEMIF63半导体超纯水水质规范

SEMIF75超纯水取样与检测导则

SEMIF74超纯水系统组件材料溶出测试规范

3术语与定义

UVT：紫外透光率，254nm/185nm下